公开(公告)号：CN116312881A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310129079.7

申请日：2023-02-13

申请人： 浙江工业大学

发明人： 王垚 ,  雷珍珍 ,  华陈强 ,  张金森 ,  王骏铖 ,  佴建威 ,  刘育京 ,  罗剑敏 ,  刘铁峰 ,  陶新永

IPC分类号： G16C60/00 ,  H10N50/00 ,  H10N50/85

摘要： 本发明涉及低维磁电器件技术领域，提出一种利用二维材料层间滑移实现电控磁性的普适方法，该方法通过将具有面外垂直方向电极化的二维铁电材料和低维磁性材料组合构建异质结器件，对其结构进行充分优化，计算不同堆垛方式下的磁各向异性能，最终利用二维铁电材料层间滑移翻转电极化方向，实现磁各向异性能的调控，达到电控磁性的目的，本发明有望为实现纳米级多功能自旋电子器件提供有效途径。

公开(公告)号：CN109473541B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201811594928.1

申请日：2018-12-25

申请人： 黑龙江大学

发明人： 赵晓锋 ,  漆园园 ,  刘红梅 ,  温殿忠

IPC分类号： H10N50/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80

摘要： 本发明公开了一种异质结硅磁敏三极管及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)。本发明所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。

公开(公告)号：CN116997244A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310958392.1

申请日：2023-08-01

申请人： 北京航空航天大学青岛研究院

发明人： 李云鹏 ,  牟倩倩 ,  朱大鹏 ,  赵巍胜 ,  张丹丹 ,  罗天任 ,  夏清涛

IPC分类号： H10N52/80 ,  H10N52/01 ,  H10N50/80 ,  H10N50/00

摘要： 本发明涉及磁传感技术领域，提供一种磁通聚集器及制造方法、磁传感芯片。所述磁通聚集器包括设置在衬底上的第一金属薄膜和第二金属薄膜，第一金属薄膜与第二金属薄膜对称设置，第一金属薄膜的第一侧与第二金属薄膜的第一侧相互靠近，第一金属薄膜的第二侧与第二金属薄膜的第二侧相互远离，第一金属薄膜的第一侧与第二金属薄膜的第一侧之间具有容纳磁传感单元的空气间隙，第一金属薄膜的第二侧的薄膜厚度是第一金属薄膜的第一侧的薄膜厚度的N倍，第二金属薄膜的第二侧的薄膜厚度是第二金属薄膜的第一侧的薄膜厚度的N倍。本发明增强了磁通聚集效果，可减少磁通聚集器占用磁传感芯片的面积，利于磁传感芯片的小型化。

公开(公告)号：CN118020407A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065518.6

申请日：2022-09-27

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 田中宏和 ,  中西阳介

IPC分类号： H10N15/20 ,  H02N11/00 ,  H10N50/00 ,  H10N59/00

摘要： 热电转换元件1a具备热电转换部10、连接部20和延长部30。热电转换部10包含显示反常能斯特效应并且具有铁磁性或反铁磁性的导电性磁性体，并且以线状延伸。连接部20包含与热电转换部10电连接的导电体。延长部30例如是通过磁性体从热电转换部10延伸而形成的。在热电转换元件1a中，例如，延长部30与连接部20层叠。

公开(公告)号：CN117082959A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311133595.3

申请日：2020-08-05

申请人： TDK株式会社

发明人： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N52/85 ,  H10N50/20 ,  H10N52/00 ,  H10N50/00 ,  C22C30/00

摘要： 本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN116491245A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202080107280.X

申请日：2020-12-30

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 冯君校 ,  景蔚亮 ,  叶力 ,  王正波

IPC分类号： H10N50/00

摘要： 本申请的实施例提供一种逻辑芯片及电子设备，涉及逻辑运算领域，可在同一基片上同时实现具有NAND功能的磁畴壁逻辑器件和具有NOR功能的磁畴壁逻辑器件，更适合工业应用。该逻辑芯片，包括多个磁畴壁逻辑器件，磁畴壁逻辑器件包括设置在基片上的输入极、偏置极以及输出极，其中输入极以及偏置极通过连接区域连接输出极；输入极或偏置极的磁化方向经连接区域后在输出极输出相反的磁化方向；多个磁畴壁逻辑器件中的一部分磁畴壁逻辑器件的偏置极具有第一磁化方向，另一部分磁畴壁逻辑逻辑器件的偏置极具有第二磁化方向；其中第一磁化方向与第二磁化方向相反。

公开(公告)号：CN118591255A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410647507.X

申请日：2024-05-24

申请人： 西安理工大学

发明人： 苏汉 ,  邵琛杰

IPC分类号： H10N50/01 ,  H10N50/00 ,  H10N50/80

摘要： 本发明公开了基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件、制备方法及应用；选取Ga2O3基片和蓝宝石衬底，键合形成Ga2O3基衬底；在衬底顶层Ga2O3区域内设置深槽隔离区；刻蚀顶层Ga2O3形成有源区沟槽，并形成有源区；光刻导电沟桥图形，溅射金属合金化形成导电沟桥；钝化处理，完成电磁调控器件的制备。本发明通过在相邻器件有源区之间引入导电沟桥取代金属实现器件单元的控制以及相邻器件间的电气连接，可有效提升器件及其系统的成像、隐身与集成性能。同时，Ga2O3是宽禁带半导体使得电磁调控器件的微波特性、集成性能以及电磁调控能力大幅提升。本发明的电磁调控器件适用于自适应自由调控的多梯度相位调制全息成像系统。

公开(公告)号：CN111886710B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980016445.X

申请日：2019-02-04

申请人： 马克斯·普朗克科学促进学会

发明人： 约亨·曼哈特

IPC分类号： H10N50/00

摘要： 非互易性量子装置(10；20；30；40；50；60；70)，包括第一端子(A)和第二端子(B)，连接在第一和第二端子之间的传输结构，且被配置为以至少部分相位相干的方式从第一端子向第二端子传输微观粒子并且可能从第二端子向第一端子传输微观粒子，其中，相对于所述传输结构的至少一部分，所述粒子的传输的时间反演对称性被破坏；其中时间反演对称性被破坏，使得传输结构对于从第一端子到第二端子的第一方向上移动的粒子比从第二端子到第一端子的第二方向上移动的粒子具有更高的传输概率。

公开(公告)号：CN111896897B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202010609602.2

申请日：2016-01-11

申请人： 赫尔穆特.惠得利

发明人： 赫尔穆特.惠得利

IPC分类号： G01R33/06 ,  G21K1/093 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/82 ,  H10N60/20 ,  H10N50/00 ,  H02N11/00

摘要： 提出一种用于引导载流子的设备和设备的应用，其中，借助于磁场沿着拱曲的或者折弯的主路径在二维电子气或者在薄的超导层中引导载流子，使得在电接口处产生不同的停留厚度。

公开(公告)号：CN113748526B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201980095846.9

申请日：2019-12-19

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H10N50/10 ,  H01F10/26 ,  H10N50/00 ,  H10B61/00

摘要： 本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。