一种碳酸锌氨非线性光学晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115710748B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202110970905.1

    申请日:2021-08-23

    摘要: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域,涉及一种碳酸锌氨非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式是Zn(NH3)CO3,属于正交晶系,空间群为Pna21,晶胞参数是#imgabs0#α=β=γ=90°,#imgabs1#采用溶剂热法生长出大尺寸的碳酸锌氨非线性光学晶体。该晶体的粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)的1.5倍,紫外透光范围宽,紫外截止边长204nm。碳酸锌氨非线性光学晶体能够实现紫外区的倍频激光输出,稳定性良好,不潮解,易于生长大尺寸高质量的单晶,可以用作紫外非线性光学晶体。

    一种铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、制备方法及频率转换器

    公开(公告)号:CN118584728A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410812619.6

    申请日:2024-06-22

    申请人: 山东大学

    发明人: 张彬 王磊 陈峰

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/35

    摘要: 本发明公开了一种铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、制备方法及频率转换器,该结构元件利用飞秒激光技术制备,包括:由上层铌酸锂单晶薄膜、中间层二氧化硅绝缘层和下层铌酸锂单晶衬底组成的薄膜材料平台;铌酸锂单晶薄膜上设有扇形周期性畴反转结构,包括沿铌酸锂单晶薄膜的y向呈扇形依次排开的多个单周期性畴反转结构,沿着扇形周期性畴反转结构的排布方向设有二维空间锥形双线波导阵列;该频率转换器包括连续可调波长激光器、宽带半波片、光纤耦合输入端、铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、光纤耦合接收端和滤光片;本发明利用飞秒激光直写技术在铌酸锂单晶薄膜中制备扇形周期性畴反转结构,从而实现宽波段可调谐频率转换。

    基于簿膜铌酸锂光纤的宽波长光纤阵列

    公开(公告)号:CN118550137A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410881543.2

    申请日:2024-07-03

    IPC分类号: G02F1/35 G02F1/355

    摘要: 本发明涉及光纤技术领域,更进一步地,涉及基于簿膜铌酸锂光纤的宽波长光纤阵列。它包括:基板、色散补偿器、光耦合器和光纤阵列;所述基板上有铌酸锂沉积形成的铌酸锂薄膜;在所述铌酸锂薄膜上通过光刻和蚀刻形成特定的波导结构;所述光纤阵列中包括根光纤;所述光耦合器,用于将波导结构中的光信号耦合到光纤阵列或将光纤阵列中的光信号耦合到波导结构中;所述色散补偿器,用于对光纤阵列中的所有光纤进行色散补偿。本发明解决了现有技术中的诸多问题,如色散补偿不足、非线性效应引起的信号畸变和信号损耗等。

    单光子源及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118550107A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410979103.0

    申请日:2024-07-22

    IPC分类号: G02F1/015 G02F1/35 G02F1/355

    摘要: 一种单光子源及制备方法,该单光子源包括:单光子产生模块,包括:第一衬底;第一分布式布拉格反射镜位于第一衬底上,为由第一折射率层和第二折射率层交替堆叠形成;量子点层,位于第一分布式布拉格反射镜上,在入射激光的作用下产生电子空穴对,电子空穴对复合后产生单光子;腔镜模块,位于单光子产生模块的靠近量子点层的一侧且与单光子产生模块形成真空间隔;腔镜模块包括:第二衬底;第二分布式布拉格反射镜,位于第二衬底上,为由第三折射率层和第四折射率层交替堆叠形成;第二分布式布拉格反射镜和第一分布式布拉格反射镜形成平凹式共振腔,使得与平凹式共振腔的共振频率一致的单光子在平凹式共振腔中振荡并输出。

    化合物钡锡锗酸和钡锡锗酸非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN116254606B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202111519080.8

    申请日:2021-12-10

    摘要: 本发明涉及一种钡锡锗酸化合物和钡锡锗酸非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物和晶体化学式均为BaSnOGeO4,均属正交晶系,空间群Pna21,晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α=β=γ=90°,Z=8,单胞体积#imgabs2#分子量408.62,该BaSnOGeO4粉末在1064nm的激光照射下,其倍频效应约2~3倍KDP(KH2PO4)。化合物钡锡锗酸采用高温固相反应法合成,钡锡锗酸非线性光学晶体采用高温溶液法或顶部籽晶法生长,在倍频发生器、上或下频率转换器、光参量振荡器、铁电、压电以及热释电等领域的光学器件中得到广泛应用。

    红外非线性光学晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118422348A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410891095.4

    申请日:2024-07-04

    摘要: 本发明涉及光学晶体材料技术领域,具体公开了红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。该晶体分子式为C32H48Br10N4Sb2,属于单斜晶系,空间群为P21,晶胞参数为a=28.5206(15)Å,b=13.6307(6)Å,c=12.3307(6)Å,α=90°,β=97.116(2)°,γ=90°,通过手性胺的诱导使其具有本征中心不对称结构,具备非线性光学性能,从而产生较高的SHG响应。在近红外1064 nm激光器的激发下,于532 nm处出现较高的SHG信号,与商用Y切割石英相比,为石英的300倍,表现出较高的二阶非线性光学系数,有望应用于非线性光学器件、激光倍频、偏振光检测。

    一种含d10过渡金属的超分子化合物晶体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118422333A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410578233.3

    申请日:2024-05-10

    IPC分类号: C30B29/10 C30B28/04 G02F1/355

    摘要: 本申请公开了一种含d10过渡金属的超分子化合物晶体及其制备方法与应用,属于红外二阶非线性光学晶体材料领域。所述含d10过渡金属的超分子化合物晶体,化学式为[MⅠ4Pn2][MⅡX4](MⅠ=Zn,Cd,Hg;Pn=P,As,Sb;MⅡ=Zn,Cd,Hg,Mn,Mg,Sn,Pb;X=Cl,Br,I,Cl/Br,Cl/I,Br/I)。该化合物晶体在磷属化合物中引入卤素,可以大大改善磷属化合物带隙窄的缺点,本申请中的[Cd4P2][ZnCl4]的带隙达到了2.72eV,是目前已报道的镉系磷属化合物中的最大值,同时NLO效应是AgGaS2的0.3‑10倍,激光损伤阈值是AgGaS2的2.5‑4倍,粉末红外透过范围为0.5‑25.0μm,具有优良的红外非线性光学性能,是一种新型的红外非线性光学材料。

    一种具备环境适应性的光学变频组件

    公开(公告)号:CN118393797A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410848554.0

    申请日:2024-06-27

    发明人: 薛宇

    IPC分类号: G02F1/35 G02F1/355

    摘要: 本发明公开了一种具备环境适应性的光学变频组件,涉及光学非线性频率变化技术领域。本发明包括底盖与顶盖,所述底盖的呈盒装设计,所述顶盖呈L型设计,所述底盖的内部安装有出射耦合棱镜,所述出射耦合棱镜的顶部粘接有非线性光学晶体,所述非线性光学晶体的顶部粘接有入射耦合棱镜,所述底盖的左侧开设有进光口,所述顶盖的右侧开设有出光口。本发明通过控制正面与背面的电热贴片交替通电加热,提高装置中的温度,防止光胶面干裂失效,同时正面加热时,正面膨胀筒内部的水银受热膨胀,水银通过膨胀活塞与连杆推动气压活塞滑动,气压活塞将气筒中的气体吹向装置内部,适用于低温高湿度环境使用,环境适应性强。

    两例含氟钇硼酸盐化合物及其晶体的制备方法及用途

    公开(公告)号:CN118387892A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410550923.8

    申请日:2024-05-06

    摘要: 本发明涉及两例含氟钇硼酸盐化合物及其晶体的制备方法及用途,该两例化合物及其晶体化学通式为A2YB3O6F2,其中A=Rb,K,Rb2YB3O6F2晶体属于单斜晶系C2空间群,Z=2,分子量213.14;K2YB3O6F2晶体属于正交晶系Pbcn空间群,Z=4,分子量166.77;该两例含氟钇硼酸盐化合物均采用固相反应法合成,其晶体均采用高温熔液法生长,Rb2YB3O6F2晶体可用作非线性光学晶体,制造二次谐波发生器,上、下频率转换器,光参量振荡器等;K2YB3O6F2晶体可用作双折射晶体,制造折射率调制器、相位调制器、偏振器件等。