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    光检测器
    2.
    发明授权
    光检测器 有权

    公开(公告)号：CN110023725B

    公开(公告)日：2022-06-03

    申请号：CN201780073839.X

    申请日：2017-11-30

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 山崎理弘 ,  柴山胜己 ,  北浦隆介

    IPC分类号： G01J1/02 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0248

    摘要： 本发明的光检测器包括：基板和膜体，该膜体以与基板的表面之间形成空隙的方式被支承于基板的表面上，膜体包括：隔着沿包括曲线部的线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；和具有依赖于温度的电阻的电阻层，电阻层分别与第1配线层和第2配线层电连接，第1配线层的线侧的第1边缘部和第2配线层的线侧的第2边缘部分别连续地延伸。

    一种红外探测器及其制备方法和红外探测系统
    4.
    发明公开
    一种红外探测器及其制备方法和红外探测系统 无效

    公开(公告)号：CN113659015A

    公开(公告)日：2021-11-16

    申请号：CN202111071002.6

    申请日：2021-09-13

    申请人： 杭州海康微影传感科技有限公司

    发明人： 刘建华 ,  丁金玲

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0248

    摘要： 本申请提供了一种红外探测器及其制备方法和红外探测系统，其中，红外探测器包括像元阵列，该像元阵列中的每个像元包括桥臂和通过桥臂支撑于铝层上的桥面，该桥面包括吸收膜系，在远离铝层的方向上，吸收膜系依次包括空腔层、第一介质层、金属层、第二介质层、热敏层和第三介质层。相比于现有技术，本申请的红外探测器通过对吸收膜系进行调整，设计了能够在波长为3μm‑7μm的跨中波段内具有较强吸收的像元阵列，有效提高了该波段范围内的红外辐射吸收率。因此，本申请的红外探测系统对红外波长在3μm‑7μm的被探测目标具有较高的吸收率。本申请的红外探测器的制备方法，工艺简单易操作，原料易得，能够广泛应用于工业生产中。

    电磁波检测器、电磁波检测器阵列以及电磁波检测方法
    5.
    发明授权
    电磁波检测器、电磁波检测器阵列以及电磁波检测方法 有权

    公开(公告)号：CN110402373B

    公开(公告)日：2021-07-30

    申请号：CN201780087551.8

    申请日：2017-10-19

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  藤泽大介 ,  奥田聪志

    IPC分类号： G01J1/02 ,  H01L31/0248

    摘要： 电磁波检测器包括：受光石墨烯以及参照石墨烯，并排配置于绝缘层之上；第1电极以及第2电极，隔着受光石墨烯以及参照石墨烯而对置配置；栅极电极，对受光石墨烯以及参照石墨烯施加栅极电压；平衡电路，连接于第2电极之间；以及检测电路，受光石墨烯在电磁波入射的情况下由于带内跃迁而产生光载流子，参照石墨烯在电磁波入射的情况下由于泡利阻塞效应而不产生光载流子，在电磁波不入射到受光石墨烯以及参照石墨烯的状态下，平衡电路使第1电极和第2电极成为相同电位，在电磁波入射到受光石墨烯以及参照石墨烯的状态下，检测第2电极之间的电信号。

    无过量噪声的光电二极管
    6.
    发明公开
    无过量噪声的光电二极管 有权

    公开(公告)号：CN112352322A

    公开(公告)日：2021-02-09

    申请号：CN201980043875.0

    申请日：2019-05-24

    申请人： 斯坦福国际研究院

    发明人： W·K·陈

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/08

    摘要： 本发明提供了可以经由具有超晶格倍增区来使光电二极管(诸如线性模式雪崩光电二极管)不含过量噪声，该超晶格倍增区仅允许一种电流载流子类型(诸如电子或空穴)在被偏置时(其中层被晶格匹配)积聚足够的动能以进行碰撞电离。光电二极管可以通过以下来构造：i)超晶格倍增区中的第一半导体合金和第二半导体合金的晶格匹配对，ii)吸收体区，以及iii)半导体衬底。可以通过这些构造层制造具有多个光电二极管的检测器，以具有在从1.7pm至4.9pm的任何地方变化的截止波长以及处于一定水平的由暗电流产生的噪声，使得该光电二极管可以准确地感测具有期望最小波长截止的电磁辐射信号。

    可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法
    8.
    发明公开
    可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN107579125A

    公开(公告)日：2018-01-12

    申请号：CN201610520806.2

    申请日：2016-07-05

    申请人： 陈柏颕

    发明人： 陈柏颕 ,  陈俋瑾 ,  陈俋锡

    IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法。该可提升太阳能发电效益的结构包含一发电单元，及一导电单元。该发电单元包括一P型半导体层，及一与该P型半导体层连接的N型半导体层，该N型半导体层是由多个N型材料，及一包覆该多个N型材料的导电材料所组成。该导电单元包括一与该P型半导体层连接的导电底层，及一与该N型半导体层连接的导电顶层。本发明将N型半导体层的结构做重新安排，此重新安排的结构可以降低分离的电子-电洞对重新复合的机率，电子快速被传导至总线。

    一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器
    9.
    发明授权
    一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器 有权

    公开(公告)号：CN104916713B

    公开(公告)日：2017-04-05

    申请号：CN201510284031.9

    申请日：2015-05-28

    申请人： 东南大学

    发明人： 张雄 ,  赵见国 ,  崔一平

    IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/036 ,  H01L31/101 ,  H01L31/107

    摘要： 一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器，其特征在于，包括由下而上依次设置的阴极电极101、n型Alx1Ga1‑x1N层102、Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N多量子阱雪崩增益区103、Aly3Ga1‑y3N/Aly4Ga1‑y4N超晶格吸收区104、p型Alx2Ga1‑x2N层105、环形阳极电极107和制作于p型Alx2Ga1‑x2N层105表面、但局限于阳极电极环107内的光子禁带隙宽度可调的光子晶体入射窗106。本发明的有益效果为：极大程度地降低背景噪声，有效提高信噪比，通过设置光子晶体入射窗结构，可提高带通区光线在吸收区的进光量50％以上，而对波长位于带通区外但又落在光子禁带内的光线，则可滤掉其进光量80％以上。既保证了探测器具有高灵敏度和高增益，又有效地降低了探测器的背景噪声与暗电流，有益于提高探测器的可靠性与稳定性。