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公开(公告)号：CN119585961A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380058027.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 国立大学法人京都大学
Abstract: 金属气体封入单元（100）具备单元主体（10）、玻璃板（11）、设置于从单元主体（10）以及玻璃板（11）选择的至少一者并与气体生成部（20）连通的光学腔室（14）、以及被封入于光学腔室（14）的金属气体。气体生成部（20）与光学腔室（14）连通，气体生成部（20）具有多个柱（24）、设置于多个柱（24）之间并在第一面（10p）开口的多个有底槽（22）、以及向多个有底槽（22）导入金属气体的原料溶液（34a）的导入口（26），导入口（26）包括从多个柱（24）选择的至少一个柱（24）的一部分缺失的构造、以及从多个柱（24）选择的至少一个柱（24）的全部缺失的构造中的至少一者。
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公开(公告)号：CN119584635A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411570269.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，并公开了一种硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片，方法包括将介质材料沉积在硅基底的表面，在N阱和P阱上方开设隔离槽并在槽内形成外延叠层；沉积硬掩膜层并进行图形化工艺处理，在外延叠层上方形成保留掩膜层，之后在隔离槽内制备两种不同类型的垂直器件；将介质材料沉积在隔离槽内，采用凹陷工艺将垂直器件的表面暴露在外部环境中；对垂直器件表面进行HKMG沉积和图形化工艺处理形成高K金属栅，之后进行层间介质沉积以形成层间介质层，对层间介质层进行通孔刻蚀并填充导电金属形成硅基异质器件单片。上述方法实现了不同类型的垂直器件的高密度集成，显著提高了器件的性能、可靠性和集成度。
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公开(公告)号：CN119581998A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411653953.8
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种表面光栅面发射激光器，包括：N面金属电极层；在N面金属电极层上依次叠置N面波导层、有源层、P面波导层与脊波导层，其中脊波导层包括增益区与损耗区；P面金属电极层设置在脊波导层的增益区上；P面二氧化硅层设置在脊波导层的损耗区上。该激光器通过PT对称破缺后模场分别分布在损耗区和增益区的特点，使得光场通过损耗区的表面光栅的垂直衍射耦合实现面上出光，不同于常见的纵向全部刻蚀光栅、两侧制作电极的激光器结构。通过PT对称制造模式增益差，消除双瓣，稳定单模，无需引入λ/4相移，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN119581995A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411580746.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种回音壁模式微腔激光器及其制备方法，该激光器从下至上依次包括GaN衬底、场氧隔离层、空穴传输层、绝缘层以及透明导电层，在GaN衬底的上表面设置有回音壁模式微腔，在透明导电层的上表面和GaN衬底上表面还分别设置有第一电极和第二电极。本发明采用第一电极及透明导电层‑绝缘层‑GaN衬底这样的MIS结构，制备工艺及结构简单，空穴传输层能够提高器件工作时的少子空穴注入量，从而显著降低器件的开启电压；并且本发明还能实现激射功能。
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公开(公告)号：CN119581992A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411677132.8
申请日：2024-11-22
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种抑制激光器端面失效的方法，属于半导体激光器的技术领域，用以解决激光器外延材料和光学镀膜材料交界处电场强度过大的技术问题。本发明包括以下步骤：(1)将半导体激光器晶圆解理成巴条，分别在巴条的前腔面和后腔面蒸镀第一膜层；(2)在巴条的前腔面蒸镀增透膜，在巴条的后腔面蒸镀高反膜；所述第一膜层的厚度为激光器外延材料和光学镀膜材料交界处的电场强度降低为零时的厚度。本发明将激光器外延材料和光学镀膜材料交界处的电场强度降低为零，零电场强度设计减少了电场激发的非辐射复合，达到提高端面损伤阈值、提升可靠性的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119581990A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411842106.6
申请日：2024-12-13
Applicant: 山东山科迈迪赛斯激光科技有限公司
IPC: H01S5/02315 , H01S5/02325 , H01S5/0239 , H01S5/02251 , H01S5/02216 , H01S5/024
Abstract: 本发明涉及泵浦激光器技术领域，具体为一种980nm泵浦激光器，包括泵浦激光器本体，所述泵浦激光器本体的内腔底部设置有制冷器，所述制冷器的上方安装有激光芯片，所述泵浦激光器本体的两侧设置有蝶形管脚。通过采用对接锁定机构的设置，允许光纤组与泵浦激光器本体之间进行便捷、快速的安装，简化安装过程；结合弹性抱紧组件，确保了光纤组在安装后的高稳定性，有效防止光纤组在与激光芯片耦合连接时的窜动和位移，从而保证了激光介质的稳定输出和泵浦激光器的整体使用效果；且相互对接的固定连接座和滑动连接座，能够实现内部各组件的收容，保证在不使用时也能保持稳定，能够实现输送稳定、安装稳定等双重效果。
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公开(公告)号：CN119581987A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411508480.2
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
IPC: H01S3/16 , H01S3/1123 , H01S3/10
Abstract: 本发明提出一种抑制激光自激振荡的方法及其应用。该方法通过降低激光晶体中激活离子的浓度至预设的阈值，使其自激振荡被抑制。本发明所要解决的技术问题是如何在不对器件进行额外处理或增加元器件的情况下抑制激光自激振荡，提高调Q激光的输出能量，得到高能量调Q激光，使其既有利于激光系统的稳定运行，又简单易行，成本低廉，从而更加适于实用。
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公开(公告)号：CN119581984A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411655594.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01S3/1109 , H01S3/067
Abstract: 本申请涉及激光控制技术领域，揭示了一种波长可切换的智能锁模光纤激光系统及其控制方法。所述系统包括：泵浦源、掺钕光纤激发单元、空间光调制单元、光耦合单元、第一调节单元和第二调节单元；掺钕光纤激发单元与空间光调制单元连接，掺钕光纤激发单元与泵浦源连接，掺钕光纤激发单元与第一调节单元连接；光耦合单元与所述空间光调制单元连接，光耦合单元与第一调节单元连接，光耦合单元与第二调节单元连接；第二调节单元与第一调节单元连接。可对激光腔回路进行迭代调整，使得激光腔回路的锁模状态达到所需的预设锁模状态，解决了现有掺钕光纤激光技术中均是单一工作在0.9μm波段或者工作在1.06μm波段，导致应用领域严重受限的问题。
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公开(公告)号：CN119581982A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411592964.X
申请日：2024-11-08
Applicant: 深圳市创鑫激光股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种光开关共腔激光器，包括依次设置的激光光源、分束镜、合束镜以及耦合光纤，其中激光光源用于向同一方向发射第一光束和第二光束，分束镜用于将第一光束和第二光束引入合束镜，以进一步形成复合光束，耦合光纤将复合光束匀化并传输；光开关共腔激光器还包括与分束镜相连接的分束镜驱动元件，分束镜驱动元件用于驱动分束镜旋转。本申请公开的一种光开关共腔激光器，通过分束镜驱动元件驱动分束镜的旋转，来选择第一光束和第二光束的传播路径，从而改变第一光束和第二光束光轴的相对位置，通过耦合光纤对第一光束和第二光束进行匀化后输出，来选择两束光复合形成的光斑形状，从而实现不同光斑形态的快速切换。
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公开(公告)号：CN119581981A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411590916.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 深圳市创鑫激光股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种复合激光光路系统，其包括沿光路依次设置的激光源、半波片、倍频晶体、分束镜以及合束器，激光源用于发射波形可调的基频光束，半波片可旋转设置，用于改变基频光束的光偏振方向，倍频晶体用于对部分基频光束进行倍频，并输出倍频光束以及未经倍频的第二基频光束，分束镜用于将倍频光束以及未被倍频的基频光束进行分离，分离后的倍频光束沿第一通道传输并入射至合束器，分离后的基频光束沿第二通道传输并入射至合束器，第一通道与第二通道的光程不同，合束器用于将两通道的光束合束形成复合光束。通过本申请提供的一种复合激光光路系统，能够改变复合光斑的大小、形状和相对位置，改变光场吸收率，适用不同的加工场景。
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