公开(公告)号：EP1455365A2

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：EP04013866.1

申请日：2003-05-08

申请人： Carl Zeiss Microelectronic Systems GmbH ,  Carl Zeiss SMT AG

发明人： Mann, Hans-Jürgen ,  Engel, Thomas Dr. ,  Dinger, Udo ,  Zibold, Axel Dr. ,  Ulrich, Wilhelm ,  Harnisch, Wolfgang ,  Reinecke, Wolfgang Dr ,  Wedowski, Marco ,  Pauschinger, Dieter

IPC分类号： G21K7/00 ,  G21K1/06

CPC分类号： G21K7/00 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/062

摘要： Die Erfindung betrifft ein Inspektionssystem für die Untersuchung von Objekten, insbesondere Masken für die Mikrolithographie mit Wellenlängen
einem Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene (1), wobei
in der Objektebene innerhalb des ausgeleuchteten Feldes das zu untersuchende Objekt angeordnet ist;
einem Abbildungssystem für Wellenlängen ≤ 100 nm zur vergrößernden Abbildung wenigstens eines Ausschnittes des Objektes in eine Bildebene (3);
einem in der Bildebene (3) angeordneten Bildaufnahmesystem.

摘要翻译： 具有以光轴（HA）为中心的第一凹面镜（S1）和第二凸面镜（S2）的第一子系统配合在从物平面到像平面的光束路径中，并且具有用于波长较小的第一光学元件 超过30nm。 第一图像（Z）形成在第一图像平面（2）中。 第二个子系统适合第一个图像之后的光束路径。 还包括以下独立权利要求：（a）检查对象的检查系统，例如 用于微波光刻的掩模，其波长小于100nm，优选小于30nm; （b）用于检查物体的方法，例如 用于微波光刻的掩模，其波长小于100nm。