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1.发明公开Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100nm 审中-公开ReflektivesRöntgenmikroskopund Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mitWellenlängen100nm
公开(公告)号：EP1455365A2
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：EP04013866.1
申请日：2003-05-08
发明人： Mann, Hans-Jürgen , Engel, Thomas Dr. , Dinger, Udo , Zibold, Axel Dr. , Ulrich, Wilhelm , Harnisch, Wolfgang , Reinecke, Wolfgang Dr , Wedowski, Marco , Pauschinger, Dieter
摘要： Die Erfindung betrifft ein Inspektionssystem für die Untersuchung von Objekten, insbesondere Masken für die Mikrolithographie mit Wellenlängen
einem Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene (1), wobei
in der Objektebene innerhalb des ausgeleuchteten Feldes das zu untersuchende Objekt angeordnet ist;
einem Abbildungssystem für Wellenlängen ≤ 100 nm zur vergrößernden Abbildung wenigstens eines Ausschnittes des Objektes in eine Bildebene (3);
einem in der Bildebene (3) angeordneten Bildaufnahmesystem.摘要翻译： 具有以光轴（HA）为中心的第一凹面镜（S1）和第二凸面镜（S2）的第一子系统配合在从物平面到像平面的光束路径中，并且具有用于波长较小的第一光学元件 超过30nm。 第一图像（Z）形成在第一图像平面（2）中。 第二个子系统适合第一个图像之后的光束路径。 还包括以下独立权利要求：（a）检查对象的检查系统，例如 用于微波光刻的掩模，其波长小于100nm，优选小于30nm; （b）用于检查物体的方法，例如 用于微波光刻的掩模，其波长小于100nm。
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2.发明授权
公开(公告)号：EP1480082B1
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：EP04018664.5
申请日：1999-05-27
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Dinger, Udo
CPC分类号： G03F7/70358 , G02B17/0663 , G03F7/70233 , Y10S359/90
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3.发明授权
公开(公告)号：EP1772775B1
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：EP06025651.8
申请日：1999-12-23
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Dinger, Udo
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B17/0657 , G03F7/7025 , G03F7/70275
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公开(公告)号：EP0783137B1
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：EP96118016.3
申请日：1996-11-09
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Fürter, Gerd , Wangler, Johannes , Dinger, Udo , Ittner, Gerhard
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70066 , G02B13/14 , G02B13/24 , G03F7/70183
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5.发明公开
公开(公告)号：EP1772775A1
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：EP06025651.8
申请日：1999-12-23
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Dinger, Udo
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B17/0657 , G03F7/7025 , G03F7/70275
摘要： Die Erfindung betrifft eine Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung für kurze Wellenlängen, vorzugsweise
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die bildseitige numerische Apertur NA ≥ 0,15 ist und der dem zu belichtenden Objekt vorzugsweise dem Wafer am nächsten kommende Spiegel derart angeordnet ist, daß der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens dem genutzten Durchmesser D dieses wafernächsten Spiegels entspricht und/oder der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens die Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers D dieses Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 mm und 30 mm liegt, beträgt und/oder der bildseitseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens 50 mm, vorzugsweise 60 mm beträgt.摘要翻译： （S1），第二反射镜（S2），第三反射镜（S3），第四反射镜（S4），第五反射镜（S5）和第六反射镜（S5）的短波长，优选<100nm的微光刻投射物镜装置。 镜子（S6）。 本发明的特征在于，上述像侧数值孔径NA为≥0.15，将被曝光的晶片最接近反射镜优选地布置，以使得图像侧光学自由工作距离对应于至少d使用该晶片下反射镜直径的对象和 /或图像侧光学自由工作距离为至少这个反射镜的直径办公室d的三分之一，其长度为20毫米和30毫米，和/或bildseitseitige光学自由工作距离之间的总和为至少50毫米，优选为60毫米。
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6.发明公开
公开(公告)号：EP1480082A1
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：EP04018664.5
申请日：1999-05-27
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Dinger, Udo
CPC分类号： G03F7/70358 , G02B17/0663 , G03F7/70233 , Y10S359/90
摘要： Die Erfindung betrifft ein Reduktionsobjektiv insbesondere der EUV-Mikrolithographie, mit
vier Spiegeln in zentrierter Anordnung bezüglich einer optischen Achse, mit Primär-, Sekundär-, Tertiär-, Quartärspiegel in dieser Reihenfolge im Strahlengang
Ringfeld geeignet für Scanning-Betrieb,
obskurationsfreier Lichtführung.
Die Erfindung ist gekennzeichnet durch
einen konvexen Primärspiegel,
positive Hauptstrahlwinkelvergrößerung des Sekundärspiegels.摘要翻译： 本发明涉及一种特别是EUV微光刻的，具有四个反射镜的中心的布置相对于降低透镜的光学轴线，与伯，仲，叔，Quartärspiegel在在光路中，环场适合于扫描操作中，导obskurationsfreier光的顺序。 本发明的特征在于，凸主镜，次镜的正主光线角放大率。
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