公开(公告)号：EP0024311B1

公开(公告)日：1986-06-18

申请号：EP80104358.9

申请日：1980-07-24

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Fortino, Andreas Guillermo ,  Geipel, Henry John jr. ,  Heller, Lawrence Griffith ,  Silverman, Ronald

IPC分类号： H01L21/82 ,  G11C17/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/11266 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/12 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/112

公开(公告)号：EP0024311A3

公开(公告)日：1982-09-01

申请号：EP80104358

申请日：1980-07-24

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Fortino, Andreas Guillermo ,  Geipel, Henry John jr. ,  Heller, Lawrence Griffith ,  Silverman, Ronald

IPC分类号： H01L21/82 ,  G11C17/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/11266 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/12 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/112

公开(公告)号：EP0024311A2

公开(公告)日：1981-03-04

申请号：EP80104358.9

申请日：1980-07-24

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Fortino, Andreas Guillermo ,  Geipel, Henry John jr. ,  Heller, Lawrence Griffith ,  Silverman, Ronald

IPC分类号： H01L21/82 ,  G11C17/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/11266 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/12 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/112

摘要： Es wird ein Herstellungsverfahren für einen hochintegrierten Festwertspeicher aus Feldeffekttransistoren mit einer sehr hohen Zellendichte beschrieben, das es ermöglicht, dass die Personalisierung erst am Ende der Prozessschritte zu erfolgen braucht. Das Herstellungsverfahren eignet sich sowohl zur Herstellung eines Speichers für binäre Werte, als auch für Speicherung mehrwertiger dargestellter Informationen. Die Gateelektrode (28) eines Feldeffekttransistors wird isoliert von und nahe an einer ersten Diffusionsregion. (38) eines Substrats (10) gebildet. Danach werden Verunreinigungen in eine zweite gebildete Diffusionsregion (40), die nahe an der ersten Diffusionsregion (38) angeordnet ist, eingebracht. Die Diffusionskonstante der Verunreinigungen ist signifikant voneinander verschieden, und die Diffusion wird so lange durchgeführt, bis beide Verunreinigungen an den jeweiligen Stellen eine hofartige Region (z.B. 42 und 38) bilden.

摘要翻译： 它被描述为具有非常高的细胞密度，需要将在工艺步骤结束时仅做了一种高度集成的只读存储器的场效应晶体管，其允许个人化的制造方法。 该制造方法适用于生产用于二进制值的存储器，以及用于多元的存储显示的信息。 形成场效应晶体管的栅极电极（28）绝缘并接近一个衬底（10）的第一扩散区域（38）。 此后，在形成（40）的第二扩散区域，其被布置为靠近所述第一扩散区（38）的杂质被引入。 污染物的扩散常数是彼此不同显著，扩散进行，直到在相应的位置上形成一个庭院型区域（例如42和38）都杂质。