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    Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
    1.
    发明公开
    Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips 有权
    外延基板，其制造方法，以及用于生产半导体芯片

    公开(公告)号：EP1770795A2

    公开(公告)日：2007-04-04

    申请号：EP06019932.0

    申请日：2006-09-22

    申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Plößl, Andreas ,  Kräuter, Getrud ,  Butendeich, Rainer

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/04 ,  H01S5/0217

    摘要： Vorgeschlagen wird ein Epitaxiesubstrat, insbesondere zur Herstellung von Dünnschicht-Halbleiterchips auf der Basis von III-V Halbleitern, mit einer auf einem Wafersubstrat aufgebrachten Opferschicht, deren Bandlücke kleiner ist als die Bandlücke des umgebenden Substrats sowie ein Verfahren zur Herstellung des Epitaxiesubstrats. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Halbleiterchips, insbesondere einer LED, beschrieben, bei dem ein Epitaxiesubstrat bereit gestellt wird, bei dem mindestens eine LED-Struktur auf dem Epitaxiesubstrat aufgewachsen wird und die LED-Struktur mit einem Ersatzsubstrat verbunden wird, bei dem der Halbleiterwafer durch zumindest teilweise Zerstörung der Opferschicht abgelöst und die mindestens eine LED-Struktur vereinzelt wird.

    摘要翻译： 基板具有附接在晶片基片，其中，所述牺牲层的带隙比砷化镓一个的带隙小的牺牲层（32）。 的外延层（33）具有一个带隙比没有所述牺牲层的带隙大。 所述牺牲层包含锗，砷化镓，氮化砷化镓，锑和铟镓砷。 所述牺牲层具有超晶格结构，所有这一切是在晶片的晶格结构布置。 甲晶格调整层（35B）位于所述牺牲层和外延层之间。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）到LED薄膜的芯片，所有这是由基板制造外延; （2）用于制造衬底外延的方法; 和（3）用于制造发光二极管的薄膜芯片的方法。