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    HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    6.
    发明公开
    HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    用于光电子学的半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：EP3240048A1

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP17173235.7

    申请日：2001-08-08

    申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh

    发明人： Illek, Stefan ,  Wirth, Ralph ,  Wegleiter, Walter ,  Plößl, Andreas ,  Streubel, Klaus

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.

    摘要翻译： 半导体芯片，在具有有源薄膜层特别发射辐射的半导体芯片（2），其中（3）和用于该薄膜层的载体基底（1）（2）设置在从薄膜层的芯片侧的辐射方向背向侧的光子发射区形成 （2）安排并连接到此。 在从载体基板的有源薄膜层（2）（1）这里，形成至少一个腔体（8），通过该在所述载体基片（1）和薄膜层（2）之间的边界处形成多个台面（4）。

    Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
    8.
    发明公开
    Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips 有权
    外延基板，其制造方法，以及用于生产半导体芯片

    公开(公告)号：EP1770795A2

    公开(公告)日：2007-04-04

    申请号：EP06019932.0

    申请日：2006-09-22

    申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Plößl, Andreas ,  Kräuter, Getrud ,  Butendeich, Rainer

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/04 ,  H01S5/0217

    摘要： Vorgeschlagen wird ein Epitaxiesubstrat, insbesondere zur Herstellung von Dünnschicht-Halbleiterchips auf der Basis von III-V Halbleitern, mit einer auf einem Wafersubstrat aufgebrachten Opferschicht, deren Bandlücke kleiner ist als die Bandlücke des umgebenden Substrats sowie ein Verfahren zur Herstellung des Epitaxiesubstrats. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Halbleiterchips, insbesondere einer LED, beschrieben, bei dem ein Epitaxiesubstrat bereit gestellt wird, bei dem mindestens eine LED-Struktur auf dem Epitaxiesubstrat aufgewachsen wird und die LED-Struktur mit einem Ersatzsubstrat verbunden wird, bei dem der Halbleiterwafer durch zumindest teilweise Zerstörung der Opferschicht abgelöst und die mindestens eine LED-Struktur vereinzelt wird.

    摘要翻译： 基板具有附接在晶片基片，其中，所述牺牲层的带隙比砷化镓一个的带隙小的牺牲层（32）。 的外延层（33）具有一个带隙比没有所述牺牲层的带隙大。 所述牺牲层包含锗，砷化镓，氮化砷化镓，锑和铟镓砷。 所述牺牲层具有超晶格结构，所有这一切是在晶片的晶格结构布置。 甲晶格调整层（35B）位于所述牺牲层和外延层之间。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）到LED薄膜的芯片，所有这是由基板制造外延; （2）用于制造衬底外延的方法; 和（3）用于制造发光二极管的薄膜芯片的方法。

    Epitaxiesubstrat, damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren
    9.
    发明公开
    Epitaxiesubstrat, damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren 审中-公开
    Epitaxiesubstrat，damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren

    公开(公告)号：EP1770766A2

    公开(公告)日：2007-04-04

    申请号：EP06019931.2

    申请日：2006-09-22

    申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Plößl, Andreas

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/76251 ,  H01L33/0079

    摘要： Es wird ein III-V-Halbleiter aufweisendes Epitaxiesubstrat vorgeschlagen, das mindestens eine Schicht porösen III-V-Halbleitermaterials enthält, sowie ein entsprechendes Herstellverfahren. Ferner wird ein Bauelement, insbesondere eine LED, angegeben, das auf dem vorgeschlagenen Epitaxiesubstrat hergestellt ist, und ein entsprechendes Herstellverfahren.

    摘要翻译： 衬底具有含有半导体材料的多孔层，例如 砷化镓和砷化铟镓，其中多孔层的部分区域（21a）中的孔径大于多孔层的另一部分区域（21b）。 在半导体晶体（23）上长满的多孔层内保持结晶学远距离布置。 发光二极管结构布置在基板的表面中。 还包括以下独立权利要求：（a）组分，例如 由外延衬底制造的发光二极管（b）制造外延衬底的方法（c）制造组件的方法，例如， LED。