公开(公告)号：EP0865074A3

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：EP98101176.0

申请日：1998-01-23

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Dreybrodt, Jörg ,  Drescher, Dirk, Dr. ,  Zedlitz, Ralf ,  Wege, Stephan

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32155

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dotierter Polysiliciumschichten und -schichtstrukturen sowie ein Verfahren zum Strukturieren derartiger Schichten und Schichtstrukturen, welche Polysilicumschichten umfassen. Das Dotierverfahren zeichnet sich dadurch aus, daß die Dotierverbindung als Prozeßgas bei der chemischen Gasphasenabscheidung des Polysiliciums zugesetzt wird, deren Zufuhr zum Prozeßgas jedoch gegen Ende der Gasphasenabscheidung gestoppt wird, so daß eine Grenzschicht aus undotiertem Silicium abgeschieden wird. Hierdurch wird eine günstige Oberflächenbeschaffenheit und bessere Haftfähigkeit zu einer Nachbarschicht erreicht. Das Strukturierungsverfahren umfaßt einen wenigstens dreistufigen Ätzprozeß, bei welchem in einer ersten Stufe ein fluorhaltiges Gas, in einer zweiten Stufe ein chlorhaltiges Gas und in einer dritten Stufe ein bromhaltiges Gas zum Ätzen verwendet wird. Die Erfindung betrifft weiterhin Wafer und Halbleiterchips, die unter Verwendung des Dotierverfahrens und/oder des Strukturierungsverfahrens hergestellt wurden.

摘要翻译： 在生产含寻求层，其中CVD期间的掺杂化合物被添加到处理气体层结构的掺杂的多晶硅层，并且在掺杂化合物添加是实现期望的掺杂和期望的沉积持续时间，从而做了之后终止 未掺杂的硅层的边界层被沉积。 优选地，该掺杂化合物是B，镓，铟，P，As或Sb，爱特别乙硼烷，三甲基硼，磷化氢或砷化氢的气态的或者挥发性化合物。 所以声称是在第一阶段使用的含氟气体（优选NF 3，的SiF 4，SF 6和/或氟化烃）通过三个阶段蚀刻工艺构造具有多晶硅层上的金属或金属硅化物层的层结构的方法 中，含氯气体（优选氯化氢，氯气和/或的BCl 3）在第二阶段和第三阶段含溴气体（优选的HBr）。 进一步声称是使用一种或两种以上方法的生产的晶片或半导体芯片上。

公开(公告)号：EP0865074A2

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：EP98101176.0

申请日：1998-01-23

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Dreybrodt, Jörg ,  Drescher, Dirk, Dr. ,  Zedlitz, Ralf ,  Wege, Stephan

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32155

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dotierter Polysiliciumschichten und -schichtstrukturen sowie ein Verfahren zum Strukturieren derartiger Schichten und Schichtstrukturen, welche Polysilicumschichten umfassen. Das Dotierverfahren zeichnet sich dadurch aus, daß die Dotierverbindung als Prozeßgas bei der chemischen Gasphasenabscheidung des Polysiliciums zugesetzt wird, deren Zufuhr zum Prozeßgas jedoch gegen Ende der Gasphasenabscheidung gestoppt wird, so daß eine Grenzschicht aus undotiertem Silicium abgeschieden wird. Hierdurch wird eine günstige Oberflächenbeschaffenheit und bessere Haftfähigkeit zu einer Nachbarschicht erreicht. Das Strukturierungsverfahren umfaßt einen wenigstens dreistufigen Ätzprozeß, bei welchem in einer ersten Stufe ein fluorhaltiges Gas, in einer zweiten Stufe ein chlorhaltiges Gas und in einer dritten Stufe ein bromhaltiges Gas zum Ätzen verwendet wird.
Die Erfindung betrifft weiterhin Wafer und Halbleiterchips, die unter Verwendung des Dotierverfahrens und/oder des Strukturierungsverfahrens hergestellt wurden.

摘要翻译： 在制造掺杂多晶硅层和含有这种层的层结构的层中，其中在CVD期间将掺杂化合物加入到工艺气体中，掺杂化合物添加在实现期望的掺杂和期望的沉积持续时间后终止，使得 沉积未掺杂硅层的边界层。 优选地，掺杂化合物是B，Ga，In，P，As或Sb的气态或挥发性化合物，特别是乙硼烷，三甲基硼，膦或胂。 还要求保护的是通过在第一阶段中使用含氟气体（优选NF 3，SiF 4，SF 6和/或氟化烃）的三级蚀刻工艺来在多晶硅层上构造具有金属或金属硅化物层的层结构的方法 ，第二阶段的含氯气体（优选HCl，Cl 2和/或BCl 3）和第三阶段中的含溴气体（优选HBr）。 还要求保护的是使用上述一种或两种方法制造的晶片或半导体芯片。