公开(公告)号：EP4057326B1

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP22170810.0

申请日：2017-10-09

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

公开(公告)号：EP4370735A1

公开(公告)日：2024-05-22

申请号：EP22842803.3

申请日：2022-07-13

申请人： The Regents of the University of California

发明人： GANDROTHULA, Srinivas ,  NAKAMURA, Shuji ,  DENBAARS, Steven, P.

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  H01L25/00

CPC分类号： C30B25/04 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B25/183 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075

公开(公告)号：EP3839106B1

公开(公告)日：2024-05-15

申请号：EP20000463.8

申请日：2020-12-11

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02546

公开(公告)号：EP3311395A1

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：EP16812470.9

申请日：2016-06-16

申请人： Georgia Tech Research Corporation

发明人： DOOLITTLE, William Alan ,  CLINTON, Evan A. ,  FABIEN, Chloe A.M. ,  GUNNING, Brendan Patrick ,  MEROLA, Joseph J.

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  C30B29/38 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B23/025 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/221 ,  C23C16/303 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C30B23/02 ,  C30B29/406 ,  C30B31/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631

摘要： Systems and methods are disclosed for rapid growth of Group III metal nitrides using plasma assisted molecular beam epitaxy. The disclosure includes higher pressure and flow rates of nitrogen in the plasma, and the application of mixtures of nitrogen and an inert gas. Growth rates exceeding 8 μm/hour can be achieved.

公开(公告)号：EP3267497A1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP16761623.4

申请日：2016-03-03

申请人： STANLEY ELECTRIC CO., LTD.

发明人： FURUYA, Hiroshi ,  OBATA, Toshiyuki ,  KINOSHITA, Toru

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： [Problem] To provide a group III nitride laminate which comprises a multilayer structure wherein a GaN layer is laminated on an Al X Ga 1-X N layer (0 X Ga 1-X N layer (0 10 cm -2 or a half width of the X-ray omega rocking curve of 50-300 seconds is laminated on the Al X Ga 1-X N layer (0

摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种III族氮化物叠层体，其特征在于，具有在与AlN单晶基板晶格匹配的AlXGa1-XN层（0

公开(公告)号：EP3109895A3

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：EP16177334.6

申请日：2010-11-29

申请人： Intel Corporation

发明人： MURTHY, Anand S. ,  AUBERTINE, Daniel Bourne ,  GHANI, Tahir ,  PETHE, Abhijit Jayant

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

摘要： Embodiments of the present invention describe a epitaxial region on a semiconductor device. In one embodiment, the epitaxial region is deposited onto a substrate via cyclical deposition-etch process. Cavities created underneath the spacer during the cyclical deposition-etch process are backfilled by an epitaxial cap layer. The epitaxial region and epitaxial cap layer improves electron mobility at the channel region, reduces short channel effects and decreases parasitic resistance.

公开(公告)号：EP3127146A2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：EP15772411.3

申请日：2015-03-31

申请人： Natali, Franck ,  Ruck, Benjamin John ,  Trodahl, Harry Joseph ,  Vézian, Stéphane Ange

发明人： Natali, Franck ,  Ruck, Benjamin John ,  Trodahl, Harry Joseph ,  Vézian, Stéphane Ange

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： C30B23/066 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： Disclosed herein are magnesium-doped rare earth nitride materials, some of which are semi- insulating or insulating. Also disclosed are methods for preparing the materials. The magnesium-doped rare earth nitride materials may be useful in the fabrication of, for example, spintronics, electronic and optoelectronic devices.

摘要翻译： 这里公开了掺镁稀土氮化物材料，其中一些是半绝缘或绝缘的。 还公开了用于制备材料的方法。 掺杂镁的稀土氮化物材料可用于制造例如自旋电子学，电子和光电子器件。

公开(公告)号：EP2980874A4

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：EP14773078

申请日：2014-03-25

申请人： ASAHI KASEI MICRODEVICES CORP ,  NAT INST OF ADVANCED IND SCIEN

发明人： YOSHIKAWA AKIRA ,  MORIYASU YOSHITAKA ,  OGURA MUTSUO

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  H01L43/06

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03042 ,  H01L43/065 ,  H01L43/10

公开(公告)号：EP3046136A1

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：EP16158380.2

申请日：2011-12-09

申请人： TEIJIN LIMITED

发明人： TOMIZAWA, Yuka ,  IKEDA, Yoshinori ,  IMAMURA, Tetsuya

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C01B33/02

CPC分类号： H01L29/36 ,  C01B33/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a dispersion containing particles, wherein the particles have a degree of crystallization of 40% or less, and are essentially composed of an n-doped or p-doped semiconductor element.

摘要翻译： 提供了含有颗粒的分散体，其中颗粒的结晶度为40％以下，并且基本上由n掺杂或p掺杂的半导体元件组成。

公开(公告)号：EP2261988B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：EP10182109.8

申请日：2003-04-30

申请人： Cree, Inc.

发明人： Flynn, Jeffrey S ,  Brandes, George R ,  Vaudo, Robert P

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872