Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von insbesondere dotierten Schichten mittels OVPD oder dergleichen
    111.
    发明公开
    Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von insbesondere dotierten Schichten mittels OVPD oder dergleichen 审中-公开
    装置和方法,用于通过OVPD或类似物尤其掺杂层上沉积

    公开(公告)号:EP2009714A2

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:EP08159270.1

    申请日:2008-06-27

    申请人: Aixtron AG

    发明人: Kalisch, Holger

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen insbesondere dotierter Schichten für elektronische, lumineszierende oder photovoltaische Bauelemente, insbesondere OLEDs, wobei ein oder mehrere flüssige oder feste Ausgangsstoffe in einer Quelle (11, 12, 13, 14) verdampfen oder als Aerosol einem Trägergas beigemischt werden und in dieser Form in eine Depositionskammer (1) transportiert werden, wo sie insbesondere in Folge eines Temperaturgradienten eine dotierte Matrix bildend auf einem Substrat (5) kondensieren. Zur Verbesserung der Dotierung von elektronischen, lumineszierenden oder photovoltaischen Schichten, wird vorgeschlagen, dass die Dotierung durch Modifikation eines Ausgangsstoffes während seines Transports erfolgt.

    摘要翻译: 用于制造电子,发光或光生伏打组件的掺杂层的方法,E.G. 有机发光二极管,包括蒸发液体或固体原料在源或混合材料用作气溶胶的载气,然后输送该材料进入沉积腔室(1)。 的材料作为凝结在基板的温度梯度形成掺杂的基质,其中所述掺杂其运输过程中发生由原料的修饰的结果。 起始材料不发展不加修改的掺杂效果。 用于制造电子,发光或光生伏打组件的掺杂层的方法,E.G. 有机发光二极管,包括蒸发液体或固体原料在源或混合材料用作气溶胶的载气,然后输送该材料进入沉积腔室(1)。 的材料作为凝结在基板的温度梯度形成掺杂的基质,其中所述掺杂其运输过程中发生由原料的修饰的结果。 起始材料不发展不加修改的掺杂效果。 起始原料的的修改发生在载气存在下的底物离开,并采取了修改腔室(21,22,23,24),其设置在所述源的下游和沉积室的上游的地方。 所述修饰是一个分子变化,所有这些都通过能量和/或物理或化学反应伙伴的供给而引起的。 的能量是通过等离子体,射频(RF)激励或热,其中通过直流电流(DC)电压的等离子体发生器或到交流(AC)电压的等离子体发生器产生的等离子体提供。 掺杂或掺杂剂通过形成基质的原料改性生成。 由修改产生的离子的动能通过静电场的影响。 由修改形成的掺杂剂包括中性基。 的掺杂剂的前体转化为在该变形室中的掺杂剂。 层的生长是由开始之前进入沉积室中,其中起始材料是由等离子体分解材料的击穿影响。 通过激活和停用的能源供应E.G. 等离子体,该层生长停止和启动。 一个独立的claimsoft被包括为用于沉积掺杂层为有机发光二极管的装置。