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公开(公告)号:EP0563113A1
公开(公告)日:1993-10-06
申请号:EP92900971.0
申请日:1991-12-18
申请人: MITEL CORPORATION
发明人: OUELLET, Luc
CPC分类号: H01L21/31058
摘要: On décrit un procédé de fabrication de tranches à semi-conducteurs à plusieurs niveaux comprenant une couche d'aplanissement de verre appliquée par centrifugation. Avant que ne soit effectuée la métallisation sous vide de la couche d'interconnexion, et après l'application de la couche appliquée par centrifugation, la tranche est exposée à une décharge luminescente intense d'une telle façon qu'elle est bombardée sous au moins un vide partiel par des ions et/ou des électrons et/ou des photons alors qu'elle se trouve à une température comprise entre 400 °C et 550 °C, et qui est supérieure de 25 °C au moins à la température à laquelle est soumise la tranche au cours de l'étape de métallisation suivante. De cette manière, des molécules indésirables peuvent être désorbées à partir de la couche de verre appliquée par centrifugation de sorte qu'elles ne perturbent pas l'étape de métallisation ultérieure.
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公开(公告)号:EP0536160A1
公开(公告)日:1993-04-14
申请号:EP91909914.0
申请日:1991-05-28
申请人: MITEL CORPORATION
发明人: OUELLET, Luc
CPC分类号: H01L21/67173 , H01L21/02129 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , H01L21/6715 , H01L21/67207 , Y10S148/133
摘要: Procédé permettant l'application de verre à dépôt par rotation (SOG) sur un substrat recouvert d'un matériau non réfractaire à bas point de fusion tel que l'aluminium. On applique ce verre au substrat dans un milieu sec afin de minimiser l'hydrolyse inverse pendant le durcissement. Ceci entraîne la formation de films de meilleure qualité, notamment à partir de SOG inorganiques.
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公开(公告)号:EP0532543A1
公开(公告)日:1993-03-24
申请号:EP91909904.0
申请日:1991-05-28
申请人: MITEL CORPORATION
发明人: OUELLET, Luc
CPC分类号: H01L21/02129 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31051 , H01L21/31058 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , Y10S438/902 , H01L2924/00
摘要: L'invention a pour objet un procédé d'application de verre liquide sur un substrat constitué par des matières non réfractaires, à point de fusion bas, comme l'aluminium (1a, 1b). Selon le procédé, on soumet une couche de verre liquide (4) à la séparation et au dégazage de l'eau et des sous-produits réactionnels et on la recouvre d'une couche de protection diélectrique résistant à la diffusion de l'humidité (5).
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