PREVENTING OF VIA POISONING BY GLOW DISCHARGE INDUCED DESORPTION
    11.
    发明公开
    PREVENTING OF VIA POISONING BY GLOW DISCHARGE INDUCED DESORPTION 失效
    保护单元通过平衡由辉光放电诱导解吸手段。

    公开(公告)号:EP0563113A1

    公开(公告)日:1993-10-06

    申请号:EP92900971.0

    申请日:1991-12-18

    申请人: MITEL CORPORATION

    发明人: OUELLET, Luc

    IPC分类号: C23C14 H01L21

    CPC分类号: H01L21/31058

    摘要: On décrit un procédé de fabrication de tranches à semi-conducteurs à plusieurs niveaux comprenant une couche d'aplanissement de verre appliquée par centrifugation. Avant que ne soit effectuée la métallisation sous vide de la couche d'interconnexion, et après l'application de la couche appliquée par centrifugation, la tranche est exposée à une décharge luminescente intense d'une telle façon qu'elle est bombardée sous au moins un vide partiel par des ions et/ou des électrons et/ou des photons alors qu'elle se trouve à une température comprise entre 400 °C et 550 °C, et qui est supérieure de 25 °C au moins à la température à laquelle est soumise la tranche au cours de l'étape de métallisation suivante. De cette manière, des molécules indésirables peuvent être désorbées à partir de la couche de verre appliquée par centrifugation de sorte qu'elles ne perturbent pas l'étape de métallisation ultérieure.