Surface acoustic wave device and method of manufacturing said surface acoustic wave device
    12.
    发明公开
    Surface acoustic wave device and method of manufacturing said surface acoustic wave device 失效
    AkustischeOberflächenwellenanordnungund deren Herstellungsverfahren。

    公开(公告)号:EP0100739A2

    公开(公告)日:1984-02-15

    申请号:EP83401595.0

    申请日:1983-08-02

    IPC分类号: G06G7/195

    CPC分类号: H03H9/02818

    摘要: A thin film metallic loop (30) is used to electrically short the gap (16a) between metallic portions (16, 28) of a surface acoustic wave device (10) to eliminate substrate surface cracks. The loop (30) is deposited on the substrate (13) at the same time the structures (16, 28) defining the gap (16a) are deposited.

    摘要翻译: 使用薄膜金属环来电气地缩短表面声波装置的金属部分之间的间隙,以消除基板表面裂纹。 同时沉积限定间隙的结构,沉积在衬底上。

    Surface acoustic wave device and communication system using the same
    13.
    发明公开
    Surface acoustic wave device and communication system using the same 失效
    AkustischeOberflächenwellenanordnungundÜbertragungssystemdamit

    公开(公告)号:EP0747850A1

    公开(公告)日:1996-12-11

    申请号:EP95108919.2

    申请日:1995-06-09

    IPC分类号: G06G7/195 H03H9/42

    CPC分类号: G06G7/195 H03H9/42

    摘要: A surface acoustic wave device is provided with at least two exciting electrodes 2 and 3 for exciting first and second surface acoustic waves on a piezoelectric substrate 1, a surface acoustic wave waveguide 4 for propagating therethrough the first and second surface acoustic waves excited by the exciting electrodes in opposite directions, output means 5 for taking out a signal generated by the surface acoustic wave waveguide 4, and an electrode junction portion 6 electrically connecting the surface acoustic wave waveguide and the output means together, and is characterized in that the width of a portion in which the electrode junction portion 6 is in contact with the surface acoustic wave waveguide 4 is within a range of 0.2 to 5 times the wavelength of the first and second surface acoustic waves.

    摘要翻译: 表面声波装置设置有至少两个用于激励压电基板1上的第一和第二声表面波的激励电极2和3,用于在其中传播通过激发的第一和第二声表面波的表面声波波导4 相反方向的电极,用于取出由声表面波导管4产生的信号的输出装置5和将声表面波导和输出装置电连接在一起的电极接合部分6,其特征在于, 电极接合部6与声表面波导4接触的部分在第一和第二声表面波的波长的0.2〜5倍的范围内。

    Elastic surface wave convolva having wave width converting means and communication system using same
    15.
    发明公开
    Elastic surface wave convolva having wave width converting means and communication system using same 失效
    弹性表面波与波宽度转换器和传输系统及其使用折叠装置。

    公开(公告)号:EP0458271A2

    公开(公告)日:1991-11-27

    申请号:EP91108198.2

    申请日:1991-05-21

    IPC分类号: G06G7/195

    CPC分类号: G06G7/195

    摘要: An elastic surface wave convolver comprises a piezoelectric substrate, a plurality of input transducers formed on said substrate for generating elastic surface waves corresponding to respective input signals, a plurality of waveguides provided side by side on a region of the substrate where elastic surface waves radiated from the input transducers overlap, wherein a convolution signal of input signals is produced due to parametric mixing effect of elastic surface waves in respective waveguides, these waveguides generating an elastic surface wave corresponding to the convolution signal, and an output transducer for receiving the elastic surface wave radiated from the waveguides and taking out an electrical signal by conversion of the convolution signal, wherein the width of elastic surface wave radiated from the waveguides is narrower immediately before reception with the output transducer than immediately after radiation from the waveguides.

    摘要翻译: 弹性表面波convolva包括压电基板,形成在所述基片,用于产生弹性表面波对应于respectivement输入信号输入换能器的复数,波导的多个侧面上,其中的弹性表面波从所辐射的基板的区域中设置侧 输入换能器的重叠,worin输入信号的卷积信号产生由于respectivement波导弹性表面波的参数混合效果,弹性表面波对应于卷积信号的论文波导产生,并输出换能器,用于接收所述弹性表面波 从波导辐射和由卷积信号的转换,worin弹性表面波的宽度从所述波导辐射窄立即用比从波导辐射后,立即输出换能器接收之前取出电信号的。

    Convolver-Anordnung mit akustischen Wellen
    16.
    发明公开
    Convolver-Anordnung mit akustischen Wellen 失效
    卷绕器与声波的排列

    公开(公告)号:EP0212418A3

    公开(公告)日:1990-01-17

    申请号:EP86110765.4

    申请日:1986-08-04

    IPC分类号: G06G7/195

    CPC分类号: G06G7/195

    摘要: Für einen mit einem Eingangssignal E und mit zwei Referenzsignalen R₁ und R₂ zu betreibenden Convolver (Fig. 1) sind zwei Convolver-Spuren (bzw. vier Spuren bei Kompensation der Selbstfaltung) mit gegenüber dem Ein­gangswandlern 5 und 6 für die Referenzsignale R₁ und R₂ (bzw. vier) parallelgeschalteten Eingangswandlern 3, 4 (bzw. 3, 1; 3, 2; 4, 1; 4, 2) für das Eingangssignal E erforderlich. Damit bei an allen 3 Eingängen des Con­volvers mit derselben Eingangsimpedanz alle Eingangswand­ler 3, 4, 5, 6 dennoch prizipiell demselben Entwurf ent­sprechen, sind für die Eingangssignal-Wandler 3, 4 ab­gewandelte Splitfinger-Wandler (Fig. 3, Fig. 4) mit floatenden Fingern (und die nicht abgewandelten Split­fingerwandler (Fig. 2) für die Referenzsignale) vorge­sehen.

    摘要翻译: 用于输入信号E,和两个参考信号R 1和R 2被操作卷积器(图1)二卷积轨道(或在自卷积的补偿四个轨道)相对于所述输入换能器5和6的参考信号R1和R2( 或四个)并行输入变换器3,4(或者3,1,3,2,4,1,4,2)用于所需的输入信号E. 因此,在对应于与相同的输入阻抗的所有输入换能器3,4,5的卷积器的所有三个输入端,6仍prizipiell相同的设计是用于与浮置所述输入信号转换器3,4改性分裂指换能器(图3,图4) 提供了手指(和未修改的Splitfingerwandler(图2)用于参考信号)。

    Mit akustischen Wellen arbeitender Zweispur-Convolver mit Unterdrückung des Selbstfaltungssignals
    18.
    发明公开
    Mit akustischen Wellen arbeitender Zweispur-Convolver mit Unterdrückung des Selbstfaltungssignals 失效
    随着声波双轨卷积与自我卷积信号的抑制工作。

    公开(公告)号:EP0212399A2

    公开(公告)日:1987-03-04

    申请号:EP86110683.9

    申请日:1986-08-01

    IPC分类号: G06G7/195

    CPC分类号: G06G7/195

    摘要: Zweispur-Convoler mit seriell integrierten Einzelwand­lern (4a, 4b; l4a, l4b) als Eingangswandler (4, l4) für das Eingangssignal und das Referenzsignal, um für vorge­gebene Eingangsimpedanz solche Einzelwandler verwenden zu können, die möglichst große Chirpdauer (große Länge der Einzelwander) ermöglichen.

    摘要翻译: 两个磁道Convoler具有串联集成各个换能器(4A,4B; L4A,L4B)作为输入换能器(4,14)用于将输入信号和参考信号,以便使用这样的单个换能器对于给定的输入阻抗尽可能地大Chirpdauer(大长度的各个漂移的) 允许。

    Système de traitement à ondes élastiques invariant avec la température
    19.
    发明公开
    Système de traitement à ondes élastiques invariant avec la température 失效
    用于声波与温度无关的处理系统。

    公开(公告)号:EP0063069A1

    公开(公告)日:1982-10-20

    申请号:EP82400557.3

    申请日:1982-03-26

    申请人: THOMSON-CSF

    发明人: Chomiky, Michel

    IPC分类号: H03H9/42 G06G7/195

    CPC分类号: H03H9/02834 G06G7/195

    摘要: Traitement de signal par un système comportant un dispositif à ondes élastiques, invariant en température.
    Le signal d'entrée Se est inscrit dans une mémoire (23) à la cadence d'une horloge fixe h E et lue à la cadence d'une horloge H L fourni par un générateur asservi, qui fournit également les signaux notamment de mise sur porteuse (H 2o ) à un circuit d'interface (25). Le signal est appliqué à un dispositif à ondes élastiques (21) qui fournit un signal traité S 3 appliqué à un second circuit d'interface (26) et à une seconde mémoire (27). Le générateur asservi fournit également les signaux de démodulation au second circuit d'interface (26) et les signaux d'horloge d'écriture H E de la seconde mémoire (27), qui est lue à la cadence d'horloge fixe h L . Le générateur asservi comporte un pilote de base formé d'un oscillateur à ondes élastiques de surface réalisé avec le même substrat que celui du dispositif de traitement à ondes élastiques.
    Application à la compression d'impulsions, à l'analyse spectrale et aux convoluteurs à ondes élastiques.

    SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTIONAL DEVICE
    20.
    发明公开
    SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTIONAL DEVICE 失效
    与表面声波功能设备

    公开(公告)号:EP0913935A4

    公开(公告)日:2002-04-10

    申请号:EP97930844

    申请日:1997-07-18

    CPC分类号: H03H9/02976 G06G7/195

    摘要: A surface acoustic wave functional element is provided with a semiconductor layer on a piezoelectric substrate or piezoelectric thin film substrate and utilizes the interaction between surface acoustic waves propagated on the surface of the substrate and electrons in the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed outside the propagating path of the surface acoustic waves and provided with a plurality of grating electrodes perpendicularly to the propagating path, an active layer, and a buffer layer lattice-matched with the active layer. Using this surface acoustic wave functional device, a surface acoustic wave amplifier with a high amplification degree at a practical low voltage is provided, and a surface acoustic wave convolver having such a high efficiency that has not been achieved so far, is provided.