公开(公告)号：EP3859973A1

公开(公告)日：2021-08-04

申请号：EP21152402.0

申请日：2021-01-19

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： GAMET, Arnaud ,  LE FEVRE, Philippe

IPC: H03K19/0175

Abstract: Un aspect de l'invention concerne un microcontrôleur comprenant :
- au moins une paire de cellules d'entrée/sortie configurées pour pouvoir être connectée à un premier résonateur externe,
- un premier oscillateur et un deuxième oscillateur,
et dans lequel au moins une paire, dite paire partagée, parmi ladite au moins une paire de cellules d'entrée/sortie est également configurée pour pouvoir être connectée à un deuxième résonateur externe, le microcontrôleur comprenant en outre un circuit de commutation entre ladite paire partagée de cellules d'entrée/sortie et les premier et deuxième oscillateurs, le circuit de commutation étant configuré pour pouvoir connecter soit le premier oscillateur soit le deuxième oscillateur à la paire de cellules d'entrée/sortie.

公开(公告)号：EP3840174A1

公开(公告)日：2021-06-23

申请号：EP20211756.0

申请日：2020-12-04

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS ,  STMicroelectronics (ALPS) SAS

Inventor： MERCIER, Julien ,  NONIER, Pascal

IPC: H02J50/10 ,  H02J50/80 ,  G06Q20/34 ,  G06K7/00 ,  H02J50/20

Abstract: La présente description concerne un procédé de gestion d'alimentation d'un ou plusieurs premiers éléments par un deuxième élément d'un même premier dispositif, comprenant les étapes consistant à :
envoyer, à un deuxième dispositif, une demande d'extension de temps (WTX) ;
évaluer, pendant l'extension de temps, une puissance disponible à partir d'un champ électromagnétique rayonné par le deuxième dispositif ; et
adapter l'alimentation du deuxième élément et du ou des premiers éléments en fonction de la puissance disponible.

公开(公告)号：EP3826015A1

公开(公告)日：2021-05-26

申请号：EP20206354.1

申请日：2020-11-09

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： EVA, Christophe ,  GRIL-MAFFRE, Jean-Michel

IPC: G11C11/419 ,  G06F11/10 ,  G11C7/10

Abstract: Le procédé d'écriture dans une mémoire volatile (MEM) comprend au moins une réception d'une requête d'écriture dans la mémoire, et, en réponse à chaque requête d'écriture dans la mémoire (RQ_ECR) :
- une préparation des données à écrire dans la mémoire (PREP_DatEcc) comprenant un calcul d'un code correcteur d'erreur (ECC) ;
- un enregistrement dans un registre tampon (BUF_DatEcc) des données à écrire dans la mémoire (MEM) ; et
- si aucune nouvelle requête d'écriture ou de lecture dans la mémoire (MEM) n'est reçue (rq_nok) après ledit enregistrement (BUF_DatEcc), une écriture dans la mémoire (MEM) des données à écrire enregistrées dans le registre tampon (ECR_DatEcc).

公开(公告)号：EP3809303A1

公开(公告)日：2021-04-21

申请号：EP20200794.4

申请日：2020-10-08

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： GIAUME, Olivier

IPC: G06F21/75 ,  G06F21/70 ,  G06F21/71 ,  G06F11/16

Abstract: Le système sur puce (CI) comprend une entrée (E) pour recevoir une ligne de données initiale (Linit), une première unité de traitement (1) couplée à ladite entrée et configurée pour traiter la ligne de données initiale et délivrer une première ligne de données traitée (Ll), des premiers moyens de retard (4) couplés à la sortie de la première unité de traitement et configurés pour délivrer une première ligne de données traitée retardée (L11) d'un premier retard, des deuxième moyens de retard (5) couplées à l'entrée et configurés pour délivrer la ligne de données initiale retardée (Linit_ret) d'un deuxième retard, une deuxième unité de traitement (2) couplée à la sortie des deuxièmes moyens de retard et configurée pour traiter la ligne de données initiale retardée et délivrer une deuxième ligne de données traitée retardée (L2), et des moyens de comparaison (3) configurés pour comparer les contenus des première et deuxième lignes de données traitées retardées et délivrer un signal (S3) de non authentification si lesdits contenus ne sont pas identiques, les premier et deuxième retards étant égaux à une valeur variable.

公开(公告)号：EP3771080A1

公开(公告)日：2021-01-27

申请号：EP20186477.4

申请日：2020-07-17

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： ORTET, Sebastien ,  THOMAS, Cedric

IPC: H02M1/36 ,  H02M3/158 ,  H02M1/00

Abstract: La présente description concerne un procédé de démarrage d'un circuit d'alimentation comprenant une alimentation à découpage, comprenant :
- une première phase dans laquelle, si une tension de sortie (VFB) de l'alimentation à découpage est inférieure à une première tension, l'alimentation à découpage fonctionne en modulation de largeur d'impulsions pour augmenter sa tension de sortie (VFB) jusqu'à ladite première tension ; et
- une deuxième phase de conduction forcée quand la tension de sortie (VFB) a atteint la première tension.

公开(公告)号：EP3767504A1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：EP20184643.3

申请日：2020-07-08

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： BENVENISTE, Marc ,  JOURNET, Fabien ,  MARINET, Fabrice

IPC: G06F21/44 ,  G06Q30/00 ,  H04L9/06

Abstract: La présente description concerne un procédé de mise en oeuvre d'une première fonction à sens unique, faisant partie d'une famille de fonctions à sens unique, par un dispositif dans lequel :
- une deuxième fonction (551) prend en compte des états de noeuds numériques (51) répartis dans des circuits (53) du dispositif mettant en oeuvre des troisièmes fonctions ;
- lesdits états des noeuds (51) dépendent d'un résultat (R) précédent de la première fonction ; et
- dans lequel la deuxième fonction (551) et/ou les troisièmes fonctions sont des fonctions à sens unique.

公开(公告)号：EP3133852B1

公开(公告)日：2020-11-25

申请号：EP16154963.9

申请日：2016-02-10

Applicant: Proton World International N.V. ,  STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： VAN NIEUWENHUYZE, Olivier ,  GRIMAUD, Jean-Marc ,  MOHAMMED BRAHIM, Arach

IPC: H04W4/80 ,  H04W12/08 ,  G06K7/10

公开(公告)号：EP3739622A1

公开(公告)日：2020-11-18

申请号：EP20172288.1

申请日：2020-04-30

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： SARAFIANOS, Alexandre ,  MARINET, Fabrice ,  DELALLEAU, Julien

IPC: H01L23/00 ,  G06K19/073 ,  H01L23/64

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur (SB) ayant une face avant et une face arrière, au moins une première prise de contact (PC1), au moins une deuxième prise de contact (PC2), espacées situées au niveau de la face avant, et une plaque électriquement conductrice (PL) située sur la face arrière et des premiers moyens de détection (MS1) configurés pour détecter un amincissement éventuel du substrat à partir de la face arrière, lesdits premiers moyens de détection comportant des premiers moyens de mesure (MS1) configurés pour effectuer une première mesure d'une valeur résistive du substrat entre ladite au moins une première prise de contact (PC1), ladite au moins une deuxième prise de contact (PC2) et ladite plaque électriquement conductrice (PL).

公开(公告)号：EP3451546B1

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：EP18189403.1

申请日：2018-08-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： CORDIER, Nicolas

IPC: H04B5/00 ,  H04B5/02 ,  G06K7/10

公开(公告)号：EP3731426A1

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：EP20169320.7

申请日：2020-04-14

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： MANGIONE, Jose

IPC: H04B5/00 ,  G06F3/06

Abstract: Procédé de transfert de données entre une première interface de communication et une deuxième interface de communication (IF1) d'un circuit intégré, la première interface de communication étant une interface de communication sans contact et la deuxième interface (IF2) étant couplée à une unité de traitement (MCU) externe au circuit intégré (IC), le procédé comprenant un premier mode de transfert (MDTR1) comportant un stockage temporaire des données transférées dans un premier moyen de mémoire volatile (MM1) accessible simultanément ou quasi simultanément d'une part par des moyens de traitement (MT) couplés à ladite première interface de communication (IF1) et d'autre part par ladite unité de traitement (MCU) via ladite deuxième interface de communication (IF2).