Top-emittierendes Bauteil und Beleuchtungseinrichtung
    21.
    发明公开
    Top-emittierendes Bauteil und Beleuchtungseinrichtung 有权
    Verfahren zum Herstellen eines top-emittierenden Bauteils sowie Verwendung

    公开(公告)号:EP1753048A1

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:EP05017542.1

    申请日:2005-08-11

    申请人: Novaled AG

    IPC分类号: H01L51/52

    摘要: Die Erfindung bezieht sich auf ein top-emittierendes Bauteil, insbesondere organische Leuchtdiode, mit einer auf einem Substrat aufgebrachten Schichtanordnung, welche eine auf dem Substrat angeordnete Grundelektrode und eine Deckelektrode, durch welche hindurch eine Lichtemission erfolgt, sowie einen zwischen der Grundelektrode und der Deckelektrode angeordneten Stapel organischer Schichten umfaßt, wobei bei der Grundelektrode eine dem Stapel organischer Schichten zugewandte Oberfläche zumindest in einem Teilbereich lichtreflektierend gebildet und mit einer eine Reflexion von in dem Stapel organischer Schichten erzeugtem Licht an der Grundelektrode definierenden Oberflächenstruktur versehen ist, und wobei die Oberflächenstruktur mittels mechanischer Formgebung gebildet ist.

    摘要翻译: 该单元具有布置在基底上的基底电极的层布置。 该布置具有布置在基极和覆盖电极之间的有机层堆叠。 面向有机层的表面以光反射的方式形成在截面中。 提供了限定基底电极反射光的表面结构,其中表面结构通过机械模塑形成。

    Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
    22.
    发明公开
    Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen 有权
    组件用于销类型的有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:EP1713136A1

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:EP05008105.8

    申请日:2005-04-13

    申请人: Novaled AG

    IPC分类号: H01L51/52

    摘要: Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ mit einer Elektrode und einer Gegenelektrode und einem Stapel mit organischen Schichten zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode, wobei der Stapel mit den organischen Schichten eine k (k=1, 2, 3, ...) organische Matrixmaterialien umfassende Emissionsschicht, eine dotierte Ladungsträgertransportschicht, die zwischen der Elektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, eine weitere dotierte Ladungsträgertransportschicht, die zwischen der Gegenelektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, und eine Blockschicht umfasst, die zwischen der dotierten Ladungsträgertransportschicht und der Emissionsschicht angeordnet ist. Die organischen Schichten des Stapels sind mittels n (n ≤ k+2) organischen Matrixmaterialien gebildet, wobei die n organischen Matrixmaterialien die k organischen Matrixmaterialien der Emissionsschicht umfassen. Der Stapel mit den organischen Schichten kann auch blockschicht-frei ausgeführt sein, wobei dann die Emissionsschicht und die dotierte Ladungsträgertransportschicht aus einem organischen Matrixmaterial gebildet sind. Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen solcher Anordnungen angegeben.

    A method for producing a vertical organic field effect transistor and a vertical organic field effect transistor
    25.
    发明公开
    A method for producing a vertical organic field effect transistor and a vertical organic field effect transistor 有权
    垂直有机场效应晶体管的制造方法以及垂直有机场效应晶体管

    公开(公告)号:EP2648239A1

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:EP12163473.7

    申请日:2012-04-05

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/05 H01L51/10

    摘要: The invention relates to a method for producing an organic field effect transistor, the method comprising steps of providing a gate electrode (1) and a gate insulator (2) assigned to the gate electrode (1) for electrical insulation on a substrate, depositing a first organic semiconducting layer (3) on the gate insulator (2), generating a first electrode (4) and an electrode insulator (5) assigned to the first electrode (4) for electrical insulation on the first organic semiconducting layer (3), depositing a second organic semiconducting layer (6) on the first organic semiconducting layer (3) and the electrode insulator (5), and generating a second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6), wherein at least one of the step of generating the first electrode (4) and the electrode insulator (5) on the first organic semiconducting layer (3) and the step of generating the second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6) comprises a step of photo-lithographic structuring on the first and the second organic semiconducting layer (3, 6), respectively. Furthermore, the invention relates to an organic field effect transistor and an electronic switching device.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于在有机场效应晶体管的制造方法,包括提供一个栅电极(1)和一栅极绝缘体的步骤的方法(2)分配给所述栅电极(1)用于电绝缘上的基板,沉积 在栅极绝缘体(2)第一有机半导体层(3),产生第一电极(4)和上电极绝缘体(5)分配给所述第一有机半导体层上的电绝缘所述第一电极(4)(3) 沉积第一有机半导体层上的第二有机半导体层(6)(3)和电极绝缘体(5),并且所述第二有机半导体层(6)上产生一个第二电极(7),worin的所述至少一个 生成所述第一电极(4)和所述第一有机半导体层上的电极的绝缘体(5)(3)和产生第二有机半导体层上的第二电极(7)的步骤的步骤(6)包括照片的步骤 -lithogra 在第一及第二有机半导体层(3,6),PHIC结构。 进一步,本发明涉及到有机场效应晶体管和电子开关装置。

    Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
    29.
    发明公开
    Organic electronic device comprising an organic semiconducting material 有权
    Eine organische Vorrichtung umfassend ein organisches halbleitendes材料

    公开(公告)号:EP2395571A1

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:EP10165537.1

    申请日:2010-06-10

    申请人: Novaled AG

    IPC分类号: H01L51/00

    摘要: The present invention relates to an organic electronic device comprising an organic semiconducting material comprising at least one compound according to the following formula (I):

    wherein R 1-4 are independently selected from H, halogen, CN, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 -alkyl or heteroalkyl, C 6 -C 20 -aryl or C 5 -C 20 -heteroaryl, C 1 -C 20 -alkoxy or C 6 -C 20 -aryloxy,
    Ar is selected from substituted or unsubstituted C 6 -C 20 -aryl or C 5 -C 20 -heteroaryl, and
    R5 is selected from substituted or unsubstituted C 6 -C 20 -aryl or C 5 -C 20 -heteroaryl, H or

    摘要翻译: 本发明涉及包含有机半导体材料的有机电子器件,所述有机半导体材料包含至少一种根据下式(I)的化合物:其中R 1-4独立地选自H,卤素,CN,取代或未取代的C 1 -C C 1 -C 20 - 芳基或C 5 -C 20 - 杂芳基,C 1 -C 20 - 烷氧基或C 6 -C 20 - 芳氧基,Ar选自取代或未取代的C 6 -C 20 芳基或C 5 -C 20 - 杂芳基,R 5选自取代或未取代的C 6 -C 20 - 芳基或C 5 -C 20 - 杂芳基,H或

    Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
    30.
    发明公开
    Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen 有权
    pin型有机发光二极管的布置和制造方法

    公开(公告)号:EP2284923A3

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:EP10183964.5

    申请日:2005-04-13

    申请人: Novaled AG

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/50

    摘要: Die Erfindung betrifft eine Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ, mit einer Elektrode (1), einer Gegenelektrode (5) und einem Stapel mit organischen Schichten zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode, der Stapel mit den organischen Schichten aufweisend eine k (k = 1, 2, 3, ...) organische Matrixmaterialien umfassende Emissionsschicht (4), eine elektrisch dotierte Ladungsträgertransportschicht (2), die zwischen der Elektrode (1) und der Emissionsschicht (4) angeordnet ist, eine weitere elektrisch dotierte Ladungsträgertransportschicht (2'), die zwischen der Gegenelektrode (5) und der Emissionsschicht (4) angeordnet ist, und eine Blockschicht (3), die zwischen der elektrisch dotierten Ladungsträgertransportschicht (2) und der Emissionsschicht (4) angeordnet ist, wobei die organischen Schichten des Stapels mittels
    n (n ≤ k + 2) organischen Matrixmaterialien gebildet sind und die n organischen Matrixmaterialien die k organischen Matrixmaterialien der Emissionsschicht umfassen und die elektrisch dotierte Ladungsträgertransportschicht und / oder die weitere elektrisch dotierte Ladungsträgertransportschicht ein Akzeptormolekül stärker als F4-TCNQ aufweisen. Des Weiteren umfasst die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Stapels mit organischen Schichten.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于有机发光pin型二极管的布置中,具有电极(1),对电极(5)和与所述电极和所述对电极,所述叠层与包含k中的有机层之间的有机层的堆叠(K = 1,2,3,...)的有机基质材料全面发光层(4),电掺杂的电荷载体传输,其(电极1)和所述发光层(4)之间被布置在进一步电掺杂的载流子传输层层(2),(2 “),其中(反电极5),(4)被布置在发光层,以及设置(电掺杂的载流子传输层2)和所述发光层之间的阻挡层(3)(4)之间,其中,所述堆叠的有机层 通过n(n≤k+ 2)个有机基质材料和n个有机基质材料是发射光谱的k个有机基质材料 并且电掺杂的电荷载流子传输层和/或另外的电掺杂的电荷载流子传输层具有比F4-TCNQ更强的受主分子。 此外,本发明包括用于制造具有有机层的叠层的方法。