摘要:
A differential amplifier is connected to a push-pull-type source follower circuit that receives biphase signals. The source follower circuit has a first set of FETs including a first source follower FET and a first current source FET and a second set of FETs including a second source follower FET and a second current source FET. A first coupling capacitance element connects the first current source FET and the second source follower FET, and a second coupling capacitance element connects the second current source FET and the first source follower FET. A diode or a resistor connects the source terminals of the first and second current source FETs to a voltage source.
摘要:
A system for increasing the power efficiency of a balanced amplifier driven antenna arrangement includes a push-pull class B power amplifier circuit (Q1, Q2) which is responsive to a periodic, time varying input signal and generates at least two output signals in response thereto. The arrangement also includes a balanced antenna (22, 24) exhibiting a relatively high impedance at the second harmonic of the input signal. The arrangement further includes at least one transmission line (20) operatively coupled between the power amplifier circuit (Q1, Q2) and the balanced antenna (22, 24) to provide the at least two output signals to the balanced antenna (22, 24). The at least one transmission line (20) has a length which is one-eighth of the wavelength of the input signal or odd multiples thereof, and thereby reflects back to the power amplifier circuit (Q1, Q2) a substantially short circuit at the second harmonic of the input signal.
摘要:
Single-to-differential converter for generating two balanced output signals from one single ended input signal, comprising:
first (3) and second (6) output terminals for providing the balanced output signals; a first transistor (M1) having a control electrode coupled to an input terminal (4) for receiving the input signal, a first main electrode coupled to a supply voltage terminal (1) for receiving a supply voltage and a second main electrode coupled to the first output terminal (3); a second transistor (M2) having a control electrode coupled to a bias voltage terminal (5), a first main electrode coupled to the control electrode of the first transistor (M1) and a second main electrode connected to the second output terminal (6); a diode connected third transistor (M3) having its main current path coupled to the first output terminal (3); and a diode connected fourth transistor (M4) having a its main current path connected to the second output terminal (6).
摘要:
Bei einer Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker mit vier Transistoren gleichen Leitungstyps sind die Emitter des ersten und zweiten Transistors (T1, T2) mit einem Bezugspunkt (M) verbunden. Die Basis des ersten Transistors (T1) bildet den Eingang (A) der Schaltung und die Basis des zweiten Transistors (T2) ist am Kollektor des ersten Transistors (T1) angeschlossen. Der Kollektor des ersten Transistors (T1) ist mit dem Emitter des dritten Transistors (T3) und der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mit dem Emitter des vierten Transistors (T4) verbunden. Die Basen des dritten und vierten Transistors (T3, T4) sind untereinander verbunden und wenigstens einer der Kollektoren des dritten oder vierten Transistors (T3, T4) ist mit einer Stromzuführung (13, 14) verbunden.
摘要:
A transistor circuit is provided with a symmetrical floating configuration for attaining multi-function operation of a transistor (20) having symmetrical source and drain characteristics, preferably a GaAs MESFET. The circuit includes a balun (30) which may be configured as a transformer, a differential amplifier, or a magic-tee waveguide depending on the frequency of signals to be processed by the circuit. Balanced terminals of the balun may be directly or capacitively coupled to source and drain terminals of the transistor (20). Tuning circuits (70, 72) are employed for applying signals having different frequencies to the transistor and for extracting intermodulation products generated by the transistor in response to the signals at the different frequencies. With the direct connection between the balun and the transistor, alternating voltages (via E, F, G) may be impressed between the terminals of the transistor to alternate source and drain regions of the transistor. Functions of amplification, modulation, bipolar attenuation, four-quadrant multiplication and correlation, power frequency tripling, and mixing are obtainable. The transistor may be replaced with a pair of transistors connected in series or in antiparallel connection.
摘要:
A push pull, small signal amplifier arrangement which employs Metal Oxide Semiconductor/Field Effect Transistors. Depletion type (14,16) employed in the first stage while enhanced type (54, 56) may be employed in the second stage. The two stages are directly connected together and means for controlling the gain of both stages simultaneously are included. Also disclosed is a number of configurations of various applications.
摘要:
Simplex-Sende-Empfangsgerät mit einem Niederfrequenz-Leistungsverstärker (11), welcher bei der Betriebsart "Empfang" die vom Empfänger (17) empfangenen und demodulierten Hochfrequenzsignale verstärkt und bei der Betriebsart "Senden" als Modulator für den Sender (23) geschaltet ist. Der Niederfrequenz-Leistungsverstärker weist eine Gegentaktendstufe auf. Zur Reduzierung der Übergangsverzerrungen wird ein Ruhestrom symmetrisch in die Gegentaktendstufe eingeleitet und zwar derart, daß der Ruhestrom beim Empfang niedrig, jedoch beim Senden verhältnismäßig hoch liegt. Der Ruhestrom ist mit der Umschaltung von Senden auf Empfang und umgekehrt über einen Umschalter (16) auf den der jeweiligen Betriebsart angepaßten Wert umschaltbar. Die Übergangsverzerrungen werden beim Senden mit einem entsprechenden höheren Ruhestrom unterdrükt, während beim Empfang eine noch ausreichende Sprachverständigung mit einem relativ geringeren Ruhestrom erreicht wird. Durch die relativ geringe mittlere Stromaufnahme werden die Größe und Aufwendigkeit des insbesondere mit Batterie oder Solarzellen betriebenen Geräts wesentlich herabgesetzt.