MAGNETIC MONO-COMPONENT TONER COMPOSITION
    4.
    发明授权
    MAGNETIC MONO-COMPONENT TONER COMPOSITION 有权
    与磁性单组分调色剂成分

    公开(公告)号:EP1459137B1

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:EP02792098.2

    申请日:2002-12-24

    申请人: LG Chem, Ltd.

    IPC分类号: G03G9/08 G03G9/083 G03G9/097

    摘要: The present invention relates to a magnetic mono-component toner composition, and more particularly to a mono-component toner composition that comprises magnetic toner particle comprising a binder resin, a magnetic component, and a charge control agent; a hydrophobic treated silica having a specific surface area of 20 to 80 m2/g; a hydrophobic treated silica having a specific surface area of 130 to 230 m2/g; and a metal oxide fine powder. A magnetic mono-component toner composition of the present invention has such good flowability that it provides smooth toner supply even when the developing roller surface has been worn due to long time use, and it has such excellent uniform chargeability that it prevents image deterioration ('wave' patterns of toner may form on developing roller, that is, magnetic sleeve) by forming an uniform toner layer on the developing roller.

    Onduleur trois niveaux
    7.
    发明公开
    Onduleur trois niveaux 审中-公开
    三级逆变器

    公开(公告)号:EP2141794A3

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:EP09290529.8

    申请日:2009-07-01

    IPC分类号: H02M7/487

    摘要: L'invention concerne un onduleur trois niveaux comprenant deux générateurs de tension (15, 16) continue connectés en série, chacun entre un point milieu commun (17) et un point extrême (18, 19), et deux premières branches de commutation (1, 2) , chacune desdites deux premières branches de commutation étant connectée entre un des points extrêmes et un point de sortie (4) et comportant au moins un transistor IGBT (T1p, T2p, T1m, T2m) de sorte que les transistors IGBT des deux branches de commutation sont en série entre lesdits deux points extrêmes, chacun des transistors IGBT ayant une diode (5) connectée en antiparallèle.
    Cet onduleur comprend une troisième branche de commutation (3) comportant deux transistors IGBT tête-bêche (TCp, TCm) ayant chacun une diode connectée en antiparallèle .