公开(公告)号：EP2962336A1

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：EP14702402.0

申请日：2014-01-16

申请人： Allegro Microsystems, LLC

发明人： WANG, Yigong ,  COOPER, Richard, B.

IPC分类号： H01L43/06 ,  G01R33/07

CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/077 ,  H01L43/14

摘要： A vertical Hall Effect element includes one or more of: a low voltage P-well region disposed at a position between pickups of the vertical Hall Effect element, Light-N regions disposed under the pickups, a pre-epi implant region, or two epi regions to result in an improved sensitivity of the vertical Hall Effect element. A method results in the vertical Hall Effect element having the improved sensitivity.

摘要翻译： 垂直霍尔效应元件包括以下中的一个或多个：设置在垂直霍尔效应元件的拾取器之间的位置处的低电压P阱区域，设置在拾取器下方的Light-N区域，前Epi植入区域或两个epi 导致垂直霍尔效应元素的灵敏度提高。 一种方法导致具有改善的灵敏度的垂直霍尔效应元件。