公开(公告)号：EP1167567A1

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：EP01304779.0

申请日：2001-05-31

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Xi, Ming ,  Sinha, Ashok ,  Kori, Moris ,  Mak, Alfred W. ,  Byun, Jeong Soo ,  Chung-Lai Lei, Lawrence ,  Chung, Hua ,  Lu, Xinliang ,  Lai, Ken Kaung ,  Littau, Karl A.

IPC分类号： C23C16/02

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876

摘要： A method and system to form a refractory metal layer on a substrate features nucleating a substrate using sequential deposition techniques in which the substrate is serially exposed to first and second reactive gases followed by forming a layer, employing vapor deposition, to subject the nucleation layer to a bulk deposition of a compound contained in one of the first and second reactive gases. The process may be carried-out where all process steps occur in a common chamber or may occur in different chambers. For example, nucleation may be carried-out in a processing chamber that is different from the processing chamber in which the bulk deposition occurs. Also disclosed is a technique for controlling the presence of fluorine atoms in the resulting layer as a function of the carrier gas employed during nucleation.

摘要翻译： 一种方法和系统，以在基片设有成核一个基板使用连续的沉积技术，其中，基板被串行暴露于随后形成的层，用人气相沉积的第一和第二反应性气体的难熔金属层，向受试者的成核层，以 包含在第一和第二反应性气体中的一个的化合物的块状沉积。 其中所有的工艺步骤发生在一个公共腔室或在不同的腔室可能发生过程可以进行。 例如，成核可以是在处理室中进行的那样是从处理腔室，其中该整体沉积的发生不同。 所以圆盘游离缺失是用于控制氟原子在所得层中存在成核过程中所采用的载体气体的功能的技术。