公开(公告)号：EP2823084A1

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：EP13710864.3

申请日：2013-03-21

申请人： Atotech Deutschland GmbH

发明人： TEWS, Dirk ,  MICHALIK, Fabian ,  GIL IBÀNEZ, Belen ,  BRANDT, Lutz ,  HSIEH, Meng Che ,  ZHIMING, Liu

IPC分类号： C23C18/20

CPC分类号： C23C18/24 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/22 ,  C23C18/28 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D3/18 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/54 ,  C25D5/56

摘要： The present invention relates to novel processes for metallization of dielectric substrate surfaces applying organosilane compositions followed by oxidative treatment. The method results in metal plated surfaces exhibiting high adhesion between the substrate and the plated metal while at the same time leaves the smooth substrate surface intact.

公开(公告)号：EP2823084B1

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：EP13710864.3

申请日：2013-03-21

申请人： Atotech Deutschland GmbH

发明人： TEWS, Dirk ,  MICHALIK, Fabian ,  GIL IBÀNEZ, Belen ,  BRANDT, Lutz ,  HSIEH, Meng Che ,  ZHIMING, Liu

IPC分类号： C23C18/20

CPC分类号： C23C18/24 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/2006 ,  C23C18/22 ,  C23C18/28 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D3/18 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/54 ,  C25D5/56