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    VERTICAL OPTICAL CAVITIES PRODUCED WITH SELECTIVE AREA EPITAXY
    1.
    发明公开
    VERTICAL OPTICAL CAVITIES PRODUCED WITH SELECTIVE AREA EPITAXY 审中-公开
    MIT HILFE VON SELEKTIVER-ZONEN-EPITAXY HERGESTELLTE VERTIKALE OPTISCHE RESONATOREN

    公开(公告)号：EP1066667A4

    公开(公告)日：2001-04-11

    申请号：EP99908409

    申请日：1999-02-24

    申请人： BANDWIDTH 9

    发明人： LI GABRIEL S ,  YUEN WUPEN ,  CHANG-HASNAIN CONSTANCE J

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/18358 ,  H01S5/1057 ,  H01S5/106 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18

    摘要： A monolithic vertical optical cavity device (100) has a bottom Distributed Bragg Reflector (DBR), a quantum well (QW) region consisting of at least one active layer grown on top of the bottom DBR by using a Selective Area Epitaxy (SAE) mask such that the active layer or layers exhibit a variation in at least one physical parameter in a horizontal plane perpendicular to the vertical direction and a top DBR deposited on top of the QW region (70). The device has a variable Fabry-Perot distance (82) defined along the vertical direction between the bottom DBR (50) and the top DBR (76) and a variable physical parameter of the active layer.

    摘要翻译： 单片垂直光学腔设备（100）具有底部分布式布拉格反射器（DBR），量子阱（QW）区域，其由通过使用选择性面积外延（SAE）掩模在底部DBR的顶部上生长的至少一个有源层组成 使得一个或多个有源层在垂直于垂直方向的水平面中的至少一个物理参数和沉积在QW区域（70）顶部上的顶部DBR中呈现变化。 该装置具有沿底部DBR（50）和顶部DBR（76）之间的垂直方向定义的可变法布里 - 珀罗距离（82）和活性层的可变物理参数。