公开(公告)号：EP1187219A1

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：EP00307579.3

申请日：2000-09-01

申请人： BTG INTERNATIONAL LIMITED

发明人： XU, Hongqi ,  WORSCHECH, Lukas, Maria Dietmar ,  SAMUELSON, Lars Ivar ,  FORCHEL, Alfred

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/122 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7606

摘要： An electronic device of nanometric dimensions which exhibits non-linear transistor or rectifying action comprises a region (40) fabricated to provide ballistic transport properties for electron flow, with ballistic junctions (42, 44, 46) formed in region (40), each junction exhibiting quantum states with an associated electrochemical potential and a voltage dependent transmissivity. An alternating voltage may be applied across junctions (44, 46), and a rectified voltage is developed at junction (42). Alternatively, a constant voltage may be applied to terminal (44), to modulate the characteristics of electron flow through junctions (42, 46), in a transistor-like manner.

摘要翻译： 具有非线性晶体管或整流作用的纳米尺寸的电子器件包括制造成为电子流动提供弹道输送特性的区域（40），以及形成在区域（40）中的弹道接头（42,44,46） 表现出具有相关电化学电位和电压依赖透射率的量子态。 可以在结（44,46）之间施加交流电压，并且在结（42）处产生整流电压。 或者，可以将恒定电压施加到端子（44），以晶体管状的方式调制通过结（42,46）的电子流的特性。