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    Verfahren zur thermischen Behandlung von Halbleiterpulvern
    1.
    发明公开
    Verfahren zur thermischen Behandlung von Halbleiterpulvern 失效
    韦尔法罕zur thermischen Behandlung von Halbleiterpulvern。

    公开(公告)号：EP0099860A2

    公开(公告)日：1984-02-01

    申请号：EP83810322.4

    申请日：1983-07-15

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Reber, Jean-François, Dr. ,  Bühler, Niklaus, Dr. ,  Meier, Kurt, Dr. ,  Rusek, Milos

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L21/477 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02E60/364

    摘要： Es wird ein Verfahren zur thermischen Behandlung von Halbleiterpulvern beschrieben, indem man bei einem Druck von 100 bis 10 6 Pa

    a) Halbleiterpulver aus CdS, CdSe, CdTe, CdS 1-x Se x , CdS 1-x Te x , CdSe 1-x Te x , Cd 1-x Zn x S, Cd 1-y Ag 2y S oder Cd 1-y Cu y S in Gegenwart von H 2 S, H 2 Se, H 2 Te und/oder CS z , gegebenenfalls im Gemisch mit Inertgasen und/ oder mit bis zu 50 Volumenprozent O 2 oder Gegenwart eines Gemisches aus Inertgasen und bis zu 50 Volumenprozent 0 2 beim Siedepunkt des Cadmiums bei dem jeweils angewendeten Druck ± 100°C oder
    b) Halbleiterpulver aus ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnS 1-x , Se x , ZnS 1-x Te x , ZnSe 1-x Te x , Zn 1-y Ag 2y S oder Zn 1-y Cu y S in Gegenwart von H 2 S, H 2 Se, H 2 Te und/oder CS 2 , gegebenenfalls im Gemisch mit Inertgasen oder bis zu 50 Volumenprozent O 2 beim Siedepunkt des Zinks bei dem jeweils angewendeten Druck ± 150°C behandelt, wobei x 0,01 bis 0,99 und y 0,0001 bis 0,20 sind.

    Die so erhaltenen Halbleiterpulver weisen verbesserte Photoredoxeigenschaften auf und eignen sich z.B. zur Anwendung in Photodioden, synthetischen photogalvanischen oder photoelektrolytischen Zellen oder zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse. Zu diesem Zweck werden die thermisch vorbehandelten Halbleiterpulver mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall, vor allem Platin, beschichtet.

    摘要翻译： 在100〜10 6 Pa的压力下，a）由CdS，CdSe，CdTe，CdS1-xSex，CdS1-xTex，CdSe1-xTex，Cd1-xZnxS，Cd1-yAg2yS或Cd1组成的半导体粉末的方法 在H 2 S，H 2 Se，H 2 Te和/或CS 2的存在下处理，任选地与惰性气体和/或至多50体积％的O 2混合，或者在惰性气体和高达50％ 在特定情况下在+ 100℃下施加的压力下的镉的沸点的O 2的体积或b）由ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnS1-xSex，ZnS1-xTex，ZnSe1-xTex，Zn1组成的半导体粉末 在H2S，H2Se，H2Te和/或CS2的存在下，任选地与惰性气体混合，或在锌的沸点下，在特定情况下施加的压力下，最高达50体积％的O 2， 150℃，X为0.01〜0.99，Y为0.0001〜0.20。 如此获得的半导体粉末具有改善的光致氧化性质，并且适用于例如用于光电二极管，合成光电镀或光电解细胞或用于通过异质光氧化物催化生产氢。 为此目的，热预处理的半导体粉末至少部分地涂覆有Cu，Cr，Ni，Co或贵金属，特别是铂。

    Direkt positives photographisches Material und Verfahren zur Herstellung direkt positiver Bilder, Verwendung von Gamma-Formyl-pentamethincyaninen in diesem Material
    3.
    发明公开
    Direkt positives photographisches Material und Verfahren zur Herstellung direkt positiver Bilder, Verwendung von Gamma-Formyl-pentamethincyaninen in diesem Material 失效
    用于生产直接正性图像，使用直接正照相材料和方法的γ-甲酰基pentamethincyaninen在这种材料。

    公开(公告)号：EP0015235A2

    公开(公告)日：1980-09-03

    申请号：EP80810037.4

    申请日：1980-02-04

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Steiger, Rolf, Dr. ,  Reber, Jean-François, Dr.

    IPC分类号： G03C1/485

    CPC分类号： G03C1/4853

    摘要： Direktpositives photographisches Material wird beschrieben, das in mindestens einer Schicht eine auf chemischem Wege oder durch Belichtung oberflächenverschleierte Silberhalogenidemulsion und einen y-Formyl- pentamethincyaninfarbstoff als Sensibilisator enthält. Das erfindungsgemässe direktpositive photographische Material weist eine deutlich verbesserte Empfindlichkeit im langwelligen Bereich des sichtbaren Lichts auf.

    摘要翻译： 该材料含有在卤化银乳剂的至少一个层，该层已被表面灰化通过化学手段或通过暴露于光，以及伽马-formylpentamethinecyanine染料作为敏化剂，和展品明显改善的灵敏度在可见光的长波长区域 ，

    Verfahren zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse und dabei einsetzbare neue Katalysatoren
    5.
    发明公开
    Verfahren zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse und dabei einsetzbare neue Katalysatoren 失效
    一种用于通过同时使用新的催化剂的异构photoredox来生产氢的过程。

    公开(公告)号：EP0100299A1

    公开(公告)日：1984-02-08

    申请号：EP83810320.8

    申请日：1983-07-15

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Reber, Jean-François, Dr. ,  Bühler, Niklaus, Dr. ,  Meier, Kurt, Dr. ,  Rusek, Milos

    IPC分类号： C01B3/04 ,  B01J27/02

    CPC分类号： C01B3/042 ,  Y02E60/364

    摘要： Es wird ein Verfahren zur selektiven Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse beschrieben, wobei man in der Suspension eines mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall oder Gemischen davon beschichteten und gegebenenfalls vorbehandelten Halbleiterpulvers aus ZnS, Cdi- x Zn x S, Zn 1-x Hg x S, Cd 1-x Hg x S, Zn 1-y Ag 2y S, Cd 1-x-y Ag 2y Zn x S, Zn 1-y Cu y S, Cd 1-y Cu y S, ZnSe, ZnTe, ZnS 1-x Se x , ZnS 1-x Te x , ZnSe 1-x Te x , CdSe, CdTe, CdS 1- xTe x , CdSe 1-x Te x , La 2 S 3 , Bi 2 S 3 , CdS oder CdS 1-x Se x , worin x 0,001 bis 0,99 und y 0,0001 bis 0,20 sind, Gemische aus Wasser und Alkalimetall-, Erdalkalimetall- oder Ammoniumsulfiten, -sulfiden. -hypophosphiten, -phosphiten und/oder den entsprechenden freien Säuren unter Lichteinwirkung zur Reaktion bringt, wobei im Falle von CdS- oder CdS 1-x Se x -Halbleiterpulvern Hypophosphite, Phosphite oder die entsprechenden freien Säuren oder Gemische aus den genannten Reduktionsmitteln verwendet werden.
    Die dabei einsetzbaren Katalysatoren (beschichteten Halbleiterpulver) sind zum Teil neu.

    摘要翻译： 1.由非均相光催化的氧化还原方法，包括使过程，在光的作用下，水和碱金属的混合物，碱土金属或铵的亚硫酸盐，硫化物，或次磷酸盐的装置，用于选择性生产氢的方法 亚磷酸酯和/或以悬浮液的ZnS的半导体粉末的相应的游离酸，镉1-X到Zn x S，锌1-X HGX S，镉1-X HGX S，锌1-Y小号Ag2y，镉1-Y Ag2y S，CD1 XY Ag2y锌X S，锌1-Y CUY S，镉1-Y CUY S，硒化锌，的ZnTe，ZnS1-X性别，ZnS1-X特克斯，硒化锌1-X特克斯，硒化镉，碲化镉，CDS1-X特克斯，CdSe1-X特克斯， LA2 S3，的Bi S，CdS或CDS1-X性别，其中x为0.001至0.99，y为0.0001〜0.20，它是由重量铜，铬，镍，钴或涂覆有0.001〜10％的粉末 贵金属或它们的混合物; 次磷酸盐或亚磷酸盐或相应的游离酸或还原剂的混合物提到硫化镉半导体粉末或CDS1-X性别半导体粉末的情况下被使用。

    Method for the thermal treatment of semiconductor powders
    9.
    发明公开
    Method for the thermal treatment of semiconductor powders 失效
    半导体粉末热处理方法

    公开(公告)号：EP0099860A3

    公开(公告)日：1986-04-09

    申请号：EP83810322

    申请日：1983-07-15

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Reber, Jean-François, Dr. ,  Bühler, Niklaus, Dr. ,  Meier, Kurt, Dr. ,  Rusek, Milos

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L21/477 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543 ,  Y02E60/364

    摘要： Es wird ein Verfahren zur thermischen Behandlung von Halbleiterpulvern beschrieben, indem man bei einem Druck von 100 bis 10⁶ Pa
    a) Halbleiterpulver aus CdS, CdSe, CdTe, CdS
    1-x Se
    x , CdS
    1-x Te
    x , CdSe
    1-x Te
    x , Cd
    1-x Zn
    x S, Cd
    1-y Ag
    2y S oder Cd
    1-y CU
    y S in Gegenwart von H₂S, H₂Se, H₂Te und/oder CS₂, gegebenenfalls im Gemisch mit Inertgasen und/ oder mit bis zu 50 Volumenprozent O₂ oder Gegenwart eines Gemisches aus Inertgasen und bis zu 50 Volumen prozent O₂ beim Siedepunkt des Cadmiums bei dem jeweils angewendeten Druck ± 100°C oder
    b) Halbleiterpulver aus ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnS
    1-x , Se
    x , ZnS
    1-x Te
    x , ZnSe
    1-x Te
    x , Zn
    1-y Ag
    2y S oder Zn
    1-y Cu
    y S in Gegenwart von H₂S, H₂Se, H₂Te und/oder CS₂, gegebe nenfalls im Gemisch mit Inertgasen oder bis zu 50 Volumenprozent O₂ beim Siedepunkt des Zinks bei dem jeweils angewendeten Druck ± 150°C behandelt, wobei x 0,01 bis 0,99 und y 0,0001 bis 0,20 sind.
    Die so erhaltenen Halbleiterpulver weisen verbesserte Photoreaoxeigenschaften auf und eignen sich zB zur An wendung in Photodioden, synthetischen photogalvanischen oder photoelektrolytischen Zellen oder zur Produktion von Wasserstoff mittels heterogener Photoredoxkatalyse. Zu diesem Zweck werden die thermisch vorbehandelten Halb leiterpulver mindestens teilweise mit Cu, Cr, Ni, Co oder einem Edelmetall, vor allem Platin, beschichtet.