公开(公告)号：EP2999001B1

公开(公告)日：2019-09-04

申请号：EP15184982.5

申请日：2015-09-14

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： ARVET, Christian ,  BARNOLA, Sébastien ,  LAGRASTA, Sébastien ,  POSSEME, Nicolas

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：EP2998998B1

公开(公告)日：2020-01-22

申请号：EP15184980.9

申请日：2015-09-14

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： POSSEME, Nicolas ,  ARVET, Christian ,  BARNOLA, Sébastien

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：EP2999001A3

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：EP15184982.5

申请日：2015-09-14

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： ARVET, Christian ,  BARNOLA, Sébastien ,  LAGRASTA, Sébastien ,  POSSEME, Nicolas

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66628

摘要： L'invention concerne la réalisation d'espaceurs (230) au niveau de flancs (206,207) d'une grille (200) de transistor, comprenant une étape de formation d'une couche diélectrique (231) recouvrant la grille (200) et une zone périphérique (220, 221) d'une couche de matériau semi-conducteur (212) entourant la grille (200)
comprenant les étapes suivantes :
- formation d'une couche superficielle (232) recouvrant la grille (200) et la zone périphérique ;
- enlèvement partiel de la couche superficielle (232) configuré pour enlever totalement la couche superficielle (232) au niveau de la zone périphérique (220, 221) tout en préservant une partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) au niveau des flancs (206,207) ;
- gravure sélective de la couche diélectrique (231) vis-à-vis du matériau de la partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) et vis-à-vis du matériau semi-conducteur (212).

公开(公告)号：EP2999001A2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：EP15184982.5

申请日：2015-09-14

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： ARVET, Christian ,  BARNOLA, Sébastien ,  LAGRASTA, Sébastien ,  POSSEME, Nicolas

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66628

摘要： L'invention concerne la réalisation d'espaceurs (230) au niveau de flancs (206,207) d'une grille (200) de transistor, comprenant une étape de formation d'une couche diélectrique (231) recouvrant la grille (200) et une zone périphérique (220, 221) d'une couche de matériau semi-conducteur (212) entourant la grille (200)
comprenant les étapes suivantes :
- formation d'une couche superficielle (232) recouvrant la grille (200) et la zone périphérique ;
- enlèvement partiel de la couche superficielle (232) configuré pour enlever totalement la couche superficielle (232) au niveau de la zone périphérique (220, 221) tout en préservant une partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) au niveau des flancs (206,207) ;
- gravure sélective de la couche diélectrique (231) vis-à-vis du matériau de la partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) et vis-à-vis du matériau semi-conducteur (212).

摘要翻译： 本发明涉及在晶体管栅极（200）的侧翼（206,207）处制造隔离物（230），该方法包括形成覆盖栅极（200）的介电层（231） 围绕栅极（200）的半导体材料层（212）的外围区域（220,221）包括以下步骤： - 形成覆盖栅格（200）和外围区域 ; 部分地去除被配置成在外围区域（220,221）处完全去除表面层（232）的表面层（232），同时保留表面层（232）的残留部分（234） 侧翼（206,207）; 相对于表面层（232）的剩余部分（234）的材料并且相对于半导体材料（212）选择性蚀刻电介质层（231）。