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    GROUP-III NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH BARRIER/SPACER LAYER
    3.
    发明公开
    GROUP-III NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH BARRIER/SPACER LAYER 有权
    具有阻挡层/间隔层的基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管（HEMT）

    公开(公告)号：EP1390983A1

    公开(公告)日：2004-02-25

    申请号：EP02769655.8

    申请日：2002-04-11

    申请人： Cree, Inc. ,  The Regent of the University of California

    发明人： SMORCHKOVA, Ioulia, P. ,  WALUKIEWICZ, Wladyslaw ,  CHAVARKAR, Prashant ,  WU, Yifeng ,  KELLER, Stacia ,  MISHRA, Umesh

    IPC分类号： H01L29/778

    CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003

    摘要： A group III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) (10) is disclosed that provides improved high frequency performance. One embodiment of the HEMT (10) comprises a GaN buffer layer (26), with an AlyGa1-yN (y=1 or y 1) layer (28) on the Gan buffer layer (26). An AlxGa1-xN (0≤x≤0.5) barrier layer (30) is on the AlyGa1-yN layer (28), opposite the GaN buffer layer (26), the AlyGa1-yN layer (28) having a higher Al concentration than that of the AlxGa1-xN barrirer layer (30). A preferred AlyGa1-yN layer (28) has y=1 or y≃1 and a preferred AlxGa1-xN barrier layer (30) has 0≤0.5. A 2DEG (38) forms at the interface between the GaN buffer layer (26) and the AlyGa1-yN layer (28). Respective source, drain and gate contacts (32, 34, 36) are formed on the AlxGa1-xN barrier layer (30). The HEMT (10) can also include a substrate (22) adjacent to the buffer layer (26), opposite the AlyGa1-yN layer (28) and a nucleation layer (24) can be included between the GaN buffer layer (26) and the substrate (22).

    摘要翻译： 公开了III族氮化物基高电子迁移率晶体管（HEMT）（10），其提供改进的高频性能。 HEMT（10）的一个实施例包括GaN缓冲层（26），在Gan缓冲层（26）上具有AlyGa1-yN（y = 1或y1）层（28）。 Al x Ga 1-x N（0≤x≤0.5）阻挡层（30）位于与GaN缓冲层（26）相对的Al y Ga 1-y N层（28）上，Al y Ga 1-y N层 AlxGa1-xN分枝层（30）的结构。 优选的AlyGa1-yN层（28）具有y = 1或y≥1，优选的Al x Ga 1-x N势垒层（30）具有0≤0.5。 2DEG（38）在GaN缓冲层（26）与AlyGa1-yN层（28）之间的界面处形成。 在Al x Ga 1-x N势垒层（30）上形成各自的源极，漏极和栅极接触（32,34,36）。 HEMT（10）还可以包括与AlyGa1-yN层（28）相对的与缓冲层（26）相邻的衬底（22），并且成核层（24）可以包括在GaN缓冲层（26）和 衬底（22）。