公开(公告)号：EP2506294A1

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：EP12171753.2

申请日：2009-08-13

申请人： Carl Zeiss SMS GmbH

发明人： Auth, Nicole ,  Spies, Petra ,  Becker, Rainer ,  Hofmann, Thorsten ,  Edinger, Klaus

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen eines Materials (100, 200) mit den Verfahrensschritten des Bereitstellens zumindest eines Ätzgases an einer Stelle des Materials (100, 200), an der ein Elektronenstrahl auf das Material (100, 200) trifft und des gleichzeitigen Bereitsteilens zumindest eines Passivierungsgases, das geeignet ist, spontanes Ätzen durch das zumindest eine Ätzgas zu verlangsamen oder zu unterbinden.

摘要翻译： 在半导体蚀刻工艺中，蚀刻气体与电子束同时被引导到一层硅，以及钝化气体，其缓慢或防止自发蚀刻工艺。 蚀刻气体是氙二氟化物，钝化气体是氨。