摘要:
Eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektions-Mikrolithographie hat neben einer Projektionsoptik zur Abbildung eines Beleuchtungsfeldes in einer Retikelebene in ein Bildfeld in einer Bildebene noch eine EUV-Lichtquelle sowie eine Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes. Die Beleuchtungsoptik hat einen Feldfacetten-Spiegel mit einer Mehrzahl von Feldfacetten zur Erzeugung von sekundären Lichtquellen, wobei die Feldfacetten jeweils Teilbündeln der EUV-Strahlung zugeordnet sind. Weiterhin hat die Beleuchtungsoptik einen Pupillenfacetten-Spiegel am Ort der vom Feldfacetten-Spiegel erzeugten sekundären Lichtquellen mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten, die über die ihnen zugeordneten Feldfacetten mit EUV-Strahlung beaufschlagt werden. Der Pupillenfacetten-Spiegel ist Teil einer optischen Einrichtung, die den Feldfacetten-Spiegel in die Retikelebene abbildet. Der Feldfacetten-Spiegel ist in Untereinheiten (50, 51) unterteilt, die ihrerseits Feldfacetten-Gruppen (19, 26) mit je mindestens einer Feldfacette (11) aufweisen. Eine Wechseleinrichtung (56) ist zum Austausch mindestens einer der Untereinheiten (50,51) des Feldfacetten-Spiegels gegen mindestens eine Wechsel-Untereinheit (57, 58) vorgesehen. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, bei der ein Wechsel zwischen verschiedenen Beleuchtungssettings mit geringerem konstruktiven Aufwand möglich ist.