Procédé de captation d'impuretés soufrées mettant en oeuvre des masses de captation specifiques
    1.
    发明公开
    Procédé de captation d'impuretés soufrées mettant en oeuvre des masses de captation specifiques 有权
    一种用于通过特定Abtrennmassen的手段分离含硫杂质的方法

    公开(公告)号:EP2591842A1

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:EP12290364.4

    申请日:2012-10-24

    摘要: L'invention a pour objet un procédé de captation d'impuretés soufrées, telles que l'H 2 S et/ou le COS et/ou le CS 2 , présentes dans des charges gazeuses comprenant de l'H 2 et/ou du CO, comprenant :
    a. la désulfuration par mise en contact, à une température allant de 20 à 450°C, de la charge à traiter avec une masse de captation renfermant une phase active comprenant :
    - au moins un oxyde d'au moins un métal (I) du groupe VIIb, VIIIb, Ib, ou IIb, et
    - au moins un oxyde d'au moins un métal (II) choisi dans le groupe constitué par Cr, Mo, W, et les terres rares tels que Pr, Nd, Ce,

    le rapport molaire entre le métal (I) et le métal (II) allant de 0,6 à 20,
    b. optionnellement, l'inertage de la masse de captation sulfurée,
    c. la régénération par voie oxydante de ladite masse de captation,
    d. optionnellement, l'inertage de la masse de captation régénérée, et
    e. la désulfuration par mise en contact, à une température allant de 20 à 400°C, de la charge à traiter avec ladite masse de captation régénérée et inertée,

    caractérisé en ce que la masse de captation est régénérée à une température allant de 20 à 600°C, de préférence allant de 250 à 550°C, et plus préférentiellement allant de 300 à 480°C.

    摘要翻译: 捕获硫杂质E.G. 硫化羰和/或碳硫化物,存在于进料气体含有氢气和/或一氧化碳,包括:通过在活性相在20〜450℃]℃的温度下含的保持材料接触它脱硫进料; OPTIONALLY惰硫化保持材料; 氧化再生保持材料; OPTIONALLY惰再生保持材料; 并通过与所述保持材料接触它脱硫进料并已经被再生,并在20的温度下呈现惰性的450?C. 捕获硫杂质包括硫化氢,羰基硫化物和/或碳硫化物,存在于气体进料包含氢气和/或一氧化碳,包括:通过在活性相包含含有至少一种金属氧化物的保持材料接触而进行脱硫的进料 第VIIb,VIIIb的,Ib或IIB的-I,和至少一种金属氧化物-II包含铬,钼,钨或稀土包括镨,钕或铈,以20至450℃,的温度下,其中 金属氧化物-I和金属氧化物-II的摩尔比为0.6:20; OPTIONALLY惰硫化保持材料; 氧化再生保持材料; OPTIONALLY惰再生保持材料; 并通过与所述保持材料接触它脱硫的进料并已经被再生并呈现惰性的,在20〜450?C,其中所述保持材料已经在20的温度下被再生,以600 [℃,优选为300的温度 -480 [度]下和在独立claimsoft被包括为用于捕获硫杂质,含活性相包含式金属氧化物化合物(A1 XB1 Y 2 O z)的(A1至U)的材料。 A1:VIIb的,VIIIB,IB或IIB族金属; B1:铬,钼,W或稀土类金属,包括镨,钕或Ce; 和(x + T):Y:0.6:20 注: z和ü没有定义。