公开(公告)号：EP4391021A1

公开(公告)日：2024-06-26

申请号：EP23215405.4

申请日：2023-12-11

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSILLOUD, Rémy ,  PATOUILLARD, Julien ,  HYOT, Bérangère ,  DUSSAIGNE, Amélie ,  CADOT, Stéphane ,  CHARLES, Matthew ,  MARTIN, François ,  GAUTHIER, Nicolas ,  RAYNAUD, Christine

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/0262

摘要： La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes :
a) former, sur une face d'un substrat de support (11), une première couche (13) en un matériau choisi parmi un dichalcogénure lamellaire ou un chalcogénure lamellaire comprenant un empilement de feuillets ;
b) former, par dépôt physique en phase vapeur du côté de ladite face du substrat de support, une deuxième couche (17) en un premier matériau semiconducteur III-N revêtant la première couche (13) ; et
c) effectuer un traitement thermo-chimique de la première couche (13) conduisant, dans la première couche (13), à une conversion de liaisons de van der Waals entre les feuillets de la première couche en liaisons covalentes.