公开(公告)号：EP4053881B1

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP20881210.7

申请日：2020-10-29

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01S5/343 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/02 ,  H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L21/7813 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S2304/1220130101 ,  H01S2301/17620130101 ,  H01S5/32025 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/7806 ,  H01L33/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6836820130101

公开(公告)号：EP4416768A1

公开(公告)日：2024-08-21

申请号：EP22881583.3

申请日：2022-10-07

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： KHOURY, Michel ,  SOMESHWAR, Ria

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/20 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439

公开(公告)号：EP4416756A1

公开(公告)日：2024-08-21

申请号：EP22881584.1

申请日：2022-10-07

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： KHOURY, Michel ,  SOMESHWAR, Ria

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502

公开(公告)号：EP4393015A2

公开(公告)日：2024-07-03

申请号：EP22930109.8

申请日：2022-08-24

申请人： The Regents Of The University Of Michigan

发明人： MI, Zetian ,  WANG, Ping ,  WANG, Ding ,  AHMADI, Elaheh

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/201

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505

公开(公告)号：EP2992562B1

公开(公告)日：2024-07-03

申请号：EP14791345.3

申请日：2014-05-01

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：EP4391065A1

公开(公告)日：2024-06-26

申请号：EP22216111.9

申请日：2022-12-22

申请人： Imec VZW

发明人： LIANG, Hu ,  GEENS, Karen ,  DECOUTERE, Stefaan

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66734 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0692 ,  H01L21/02639

摘要： A method for manufacturing an intermediate to a vertical III-nitride semiconductor device comprising a shielding structure (5), the method comprising:
a. obtaining a stack of layers (3) in a reaction chamber of a vapor-phase epitaxy reactor, the stack of layers (3) comprising:
a III-nitride semiconductor stack (1), and
a patterned mask layer (2), the pattern comprising a first region (21) comprising mask material and a second region (22) not comprising mask material and exposing a region (10) of the III-nitride semiconductor stack (1), and

b. controlling the reactor so as to:
b1. selectively desorb material from the region (10) of the III-nitride semiconductor stack (1) exposed by the second region (22) of the patterned mask layer (2) so as to form a trench (4), then
b2. form the shielding structure (5) by epitaxially growing, in the trench, the III-nitride material doped with the p-type dopant.

公开(公告)号：EP4374418A2

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：EP22778075.6

申请日：2022-09-22

申请人： IQE plc

发明人： KAESS, Felix ,  KAO, Chen-Kai ,  LABOUTIN, Oleg

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/2003

公开(公告)号：EP4336544A3

公开(公告)日：2024-05-15

申请号：EP23219424.1

申请日：2016-09-15

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BAVARD, Alexis ,  CHARLES, Matthew

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Structure semi-conductrice comportant au moins :
- un substrat (102),
- une couche tampon (104),
- un super-réseau formé sur la couche tampon (104), ledit super-réseau comportant un motif comprenant deux couches en matériaux différents (106, 108), chaque couche (106, 108) comportant un matériau de type AlxGayInwBzN avec x + y + w +z = 1, l'épaisseur de chaque couche (106, 108) étant inférieure à son épaisseur critique, le nombre de motifs étant au moins égal à 50,
- une couche intercalaire (110) dont le matériau présente un premier paramètre de maille,
- une couche de matériau de GaN (112), dont le paramètre de maille est supérieur au premier paramètre de maille de sorte que la couche de matériau de GaN (112) soit mise en compression par la couche intercalaire (110).

公开(公告)号：EP4073847B1

公开(公告)日：2024-04-24

申请号：EP20817032.4

申请日：2020-12-08

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：EP2832900B1

公开(公告)日：2019-08-07

申请号：EP12873342.5

申请日：2012-11-01

申请人： Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho ,  Denso Corporation

发明人： NARITA, Tetsuo ,  ITO, Kenji ,  TOMITA, Kazuyoshi ,  OTAKE, Nobuyuki ,  HOSHI, Shinichi ,  MATSUI, Masaki

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/04 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

摘要： A step-flow growth of a group-III nitride single crystal on a silicon single crystal substrate is promoted. A layer of oxide oriented to a axis of silicon single crystal is formed on a surface of a silicon single crystal substrate, and group-III nitride single crystal is crystallized on a surface of the layer of oxide. Thereupon, a axis of the group-III nitride single crystal undergoing crystal growth is oriented to a c-axis of the oxide. When the silicon single crystal substrate is provided with a miscut angle, step-flow growth of the group-III nitride single crystal occurs. By deoxidizing a silicon oxide layer formed at an interface of the silicon single crystal and the oxide, orientation of the oxide is improved.