公开(公告)号：EP4303175A1

公开(公告)日：2024-01-10

申请号：EP23183245.2

申请日：2023-07-04

申请人： SOITEC ,  Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GHYSELEN, Bruno ,  SALVETAT, Thierry ,  BERRE, Guillaume ,  RIEUTORD, François

IPC分类号： B81C1/00

摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comprenant une pluralité de membranes chacune surplombant une cavité, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes :
a) une étape de formation d'une pluralité de cavités débouchant au niveau d'une face avant d'un substrat support, les cavités présentant une profondeur et une aire dans le plan de la face avant, et étant espacées d'un espacement ;
b) une étape d'assemblage par collage direct d'un substrat donneur sur le substrat support, au niveau de leurs faces avant respectives, de manière à sceller les cavités sous vide, le collage direct étant hydrophile et impliquant un nombre donné de monocouches d'eau à une interface de contact entre les substrats ;
c) une étape de transfert d'une couche mince issue du substrat donneur sur le substrat support, ladite couche mince composant les membranes à l'aplomb des cavités.
Une aire spécifique est définie autour de chaque cavité, dans le plan de l'interface de contact, et s'exprime en fonction de la moitié de l'espacement. Le procédé de fabrication est remarquable en ce que l'aire, la profondeur de chaque cavité, et l'aire spécifique sont définies à l'étape a) pour satisfaire la relation suivante : S / A = (P atm × p) / (N × 10 15 × k B × T), avec P atm la pression atmosphérique, N le nombre de monocouches d'eau à l'interface de contact, k B la constante de Boltzmann et T la température ambiante.

公开(公告)号：EP3960698A1

公开(公告)日：2022-03-02

申请号：EP21191832.1

申请日：2021-08-18

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： SALVETAT, Thierry ,  BERRE, Guillaume

IPC分类号： B81C1/00 ,  B06B1/02

摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche semiconductrice (2) d'un substrat donneur (1) comprenant un plan de fragilisation (F) vers un substrat receveur (3) comprenant une face de collage (4) qui présente des cavités ouvertes (C). Ce procédé comprend la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d'un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l'assemblage par fracture le long du plan de fragilisation.
La face de collage du substrat receveur comporte en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l'assemblage. Ladite surface de collage comprenant une région dépourvue de cavités (5, 6) dont une dimension est d'au moins 100 µm et qui présente une surface d'au moins 1 mm 2 et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face de collage du substrat receveur.

公开(公告)号：EP3878802A1

公开(公告)日：2021-09-15

申请号：EP21160761.9

申请日：2021-03-04

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BERRE, Guillaume ,  MAZEN, Frédéric ,  SALVETAT, Thierry ,  RIEUTORD, François

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche semiconductrice d'un substrat donneur vers un substrat receveur présentant une cavité ouverte, comprenant les étapes déformation d'un plan de fragilisation dans le substrat donneur et de réalisation, par mise en contact du substrat donneur et du substrat receveur, d'un assemblage dans lequel ladite cavité est enterrée.
Ce procédé comprend, préalablement à la réalisation de l'assemblage, une étape d'implantation dans le substrat donneur ou dans le substrat receveur d'espèces diffusantes et, postérieurement à la réalisation de l'assemblage, une étape de diffusion desdites espèces dans la cavité.