公开(公告)号：EP1014431A3

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：EP99124785.9

申请日：1999-12-14

申请人： DaimlerChrysler AG

发明人： Kibbel, Horst ,  Kuchenbecker, Jessica

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B23/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten (2) aus vorzugsweise Silizium-Germanium auf einem Halbleitersubstrat (1) mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle, indem in einer in situ Prozeßfolge an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht (11,12,13) deponiert oder eingebracht wird, darauf eine verspannte Epitaxieschicht (2) aufgewachsen wird und die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.

公开(公告)号：EP1014431A2

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：EP99124785.9

申请日：1999-12-14

申请人： DaimlerChrysler AG

发明人： Kibbel, Horst ,  Kuchenbecker, Jessica

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B23/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten auf einem Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle, indem in einer in situ Prozeßfolge

an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht deponiert oder eingebracht wird,
darauf eine verspannte Epitaxieschicht aufgewachsen wird und
die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.

摘要翻译： 松弛的外延层生产包括含氢中间层形成，应变外延层生长和热松弛。 特别是通过使用氢源的分子束外延，半导体衬底上的弛豫外延层生产包括在衬底表面上或附近形成含氢中间层（11-13），生长应变外延层并热释放该层。 还包括由上述方法制备的层序列的独立权利要求，其包括具有含氢中间层（11-13）的硅衬底（1），第一松弛外延Si1-xGex（x = 0.1至0.3）缓冲液 第二弛豫外延Si1-xGex（x = 0.3〜0.5）缓冲层和Si1-xGex器件结构。