公开(公告)号：EP0420958B1

公开(公告)日：1997-09-03

申请号：EP90906011.3

申请日：1990-02-12

申请人： FSI INTERNATIONAL, INC.

发明人： SYVERSON, Daniel, J. ,  NOVAK, Richard, E. ,  HAAK, Eugene, L.

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Batch processing of semiconductor wafers utilizing a gas phase etching with anhydrous hydrogen fluoride gas flowing between wafers in a wafer carrier. The etching may take place in a bowl with the wafer carrier mounted on a rotor in the closed bowl. The etchant gas may include a small amount of water vapor, along with the anhydrous hydrogen fluoride gas, as may be needed to commence the etching process. The etching may take place with the wafers arranged in a stack in the wafer carrier and extending along or on the rotation axis.

公开(公告)号：EP0414859B1

公开(公告)日：1995-06-21

申请号：EP90903706.1

申请日：1990-02-12

申请人： FSI INTERNATIONAL, INC.

发明人： SYVERSON, Daniel, J. ,  NOVAK, Richard, E.

IPC分类号： C23F1/08 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  Y10S438/935

摘要： Processing gases in an etching chamber (10) for semiconductor wafers (W) are dispersed by a porous plastic membrane (20) interposed between the source (21) of gases and the wafer (W) being processed. A peripheral outlet (23) in the chamber wall exhausting gases is also traversed by a porous plastic membrane (27).

公开(公告)号：EP0420958A1

公开(公告)日：1991-04-10

申请号：EP90906011.0

申请日：1990-02-12

申请人： FSI INTERNATIONAL, INC.

发明人： SYVERSON, Daniel, J. ,  NOVAK, Richard, E. ,  HAAK, Eugene, L.

IPC分类号： H01L21

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： L'invention concerne le traitement par l'eau de tranches à semiconducteurs, utilisant un décapage en phase gazeuse avec un gaz de fluorure d'hydrogène anhydre s'écoulant entre des tranches, dans un support de tranches. Le décapage peut avoir lieu dans une coupe, ledit support de tranches étant monté sur un rotor dans la coupe fermée. Le gaz décapant peut comprendre une petite quantité de vapeur d'eau avec ledit gaz de fluorure d'hydrogène anhydre nécessaire pour commencer le processus de décapage. Le décapage peut avoir lieu avec les tranches agencées en une pile dans ledit support de tranches, et s'étendant le long de l'axe de rotation.

公开(公告)号：EP0414859A1

公开(公告)日：1991-03-06

申请号：EP90903706.0

申请日：1990-02-12

申请人： FSI INTERNATIONAL, INC.

发明人： SYVERSON, Daniel, J. ,  NOVAK, Richard, E.

IPC分类号： H01J37 ,  H01L21

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  Y10S438/935

摘要： Les gaz de traitement contenus dans une chambre de gravure (10) de tranches semi-conductrices (W) sont dispersés par une membrane plastique poreuse (20) intercalée entre la source (21) des gaz et la tranche (W) en train d'être traitée. Un orifice périphérique de sortie (23) ménagé dans la paroi de la chambre, par lequel les gaz sont évacués, est également recouvert d'une membrane plastique poreuse (27).