公开(公告)号：EP1263030A2

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：EP02012019.2

申请日：2002-05-31

申请人： Forschungszentrum Rossendorf e.V. ,  EADS Deutschland GmbH

发明人： Gebel, Thoralf ,  Panknin, Dieter, Dr. ,  Voelskow, Matthias, Dr. ,  Heera, Viton, Dr. ,  Skorupa, Wolfgang, Dr. ,  Eickhoff, Martin, Dr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/268 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/0445

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
Die Erfindung beinhaltet, dass die Oberfläche der Epitaxieschicht ganzflächig mit einem Lichtimpuls zwischen 2 und 500 ms der Energiedichte von 100 bis 200 Joule/cm 2 und einem Intensitätsmaximum der Wellenlänge zwischen 400 und 600 nm bestrahlt wird.
Dabei kann als heteroepitaktische Halbleiterschicht 3C-SiC eingesetzt werden.
Es können auch eine Vorheizung des Siliziumsubstrates und mehrere aufeinanderfolgende Lichtblitze verwendet werden.

摘要翻译： 使用光辐射处理硅衬底上的异质外延半导体层的方法。 因此，外延层的整个表面以持续时间2至500ms的光脉冲作用，能量密度为100至200Jmm -2，辐射强度在400至600nm之间的波长处最大。 该方法特别涉及沉积在硅衬底上的3C-SiC（碳化硅）层的处理。 将涂覆的硅衬底预热到低于其熔点1412℃的温度。 可以使用多个光脉冲与允许冷却硅衬底的脉冲之间的时间。 因此，脉冲之间的时间可以在1秒到10分钟之间。

公开(公告)号：EP1263030A3

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：EP02012019.2

申请日：2002-05-31

申请人： Forschungszentrum Rossendorf e.V.

发明人： Gebel, Thoralf ,  Panknin, Dieter, Dr. ,  Voelskow, Matthias, Dr. ,  Heera, Viton, Dr. ,  Skorupa, Wolfgang, Dr. ,  Eickhoff, Martin, Dr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B33/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/0445

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden. Die Erfindung beinhaltet, dass die Oberfläche der Epitaxieschicht ganzflächig mit einem Lichtimpuls zwischen 2 und 500 ms der Energiedichte von 100 bis 200 Joule/cm 2 und einem Intensitätsmaximum der Wellenlänge zwischen 400 und 600 nm bestrahlt wird. Dabei kann als heteroepitaktische Halbleiterschicht 3C-SiC eingesetzt werden. Es können auch eine Vorheizung des Siliziumsubstrates und mehrere aufeinanderfolgende Lichtblitze verwendet werden.