VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTROOPTISCHEN BAUELEMENTS SOWIE ELEKTROOPTISCHES BAUELEMENT

    公开(公告)号:EP4215982A1

    公开(公告)日:2023-07-26

    申请号:EP23150932.4

    申请日:2023-01-10

    IPC分类号: G02F1/035 G02F1/225

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Bauelements, mit den Schritten: Erzeugen mindestens eines optischen Wellenleiters (10) oder eines Teils eines optischen Wellenleiters (10) auf einem Substrat (20), wobei das Erzeugen des optischen Wellenleiters (10) oder des Teils des optischen Wellenleiters (10) ein Erzeugen eines Wellenleiterkerns (102) oder eines Abschnitts (1021) eines Wellenleiterkerns (102) umfasst, wobei der Wellenleiterkern (102) oder der Abschnitt (1021) des Wellenleiterkerns (102) Siliziumnitrid, ein Polymer oder ein III-V-Halbleitermaterial aufweist; Anordnen mindestens einer Schicht (30) aus Lithiumniobat auf einer dem Substrat (20) abgewandten Seite des Wellenleiterkerns (102) oder des Abschnitts (1021) des Wellenleiterkerns (102), wobei nach dem Anordnen der mindestens einen Schicht (30) aus Lithiumniobat zumindest einer der folgenden Schritte durchgeführt wird: Strukturieren der mindestens einen Schicht (30) aus Lithiumniobat, Erzeugen eines weiteren Abschnitts (1022) des Wellenleiterkerns (102) und/oder Anordnen mindestens einer Kontaktstruktur (41, 42) zur elektrischen Kontaktierung der mindestens einen Schicht (30) aus Lithiumniobat.
    Die Erfindung betrifft auch ein optisches Bauelement.

    SENSOR FOR MEASURING A MAGNETIC FIELD
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:EP4099041A1

    公开(公告)日:2022-12-07

    申请号:EP21177745.3

    申请日:2021-06-04

    摘要: An embodiment of the invention relates to a sensor comprising a sensor element (10) for measuring a magnetic field, the sensor element (10) comprising a set of at least two first input ports (Il), a set of at least two exit ports (E) each of which is connected to one of the first input ports (I1) via a corresponding first beam path (B1), a set of at least two second input ports (12) each of which is connected to a second beam path (B2), wherein the first beam paths (B1) extend through a common plane (CP) located inside the sensor element (10), said plane (CP) comprising a plurality of magneto-optically responsive defect centers, wherein the second beam paths (B2) also extend through said common plane (CP), but are angled with respect to the first beam paths (B1) such that a plurality of intersections between the first and second beam paths (B2) is defined, and wherein each intersection forms a sensor pixel (P) located at at least one of said magneto-optically responsive defect centers.