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1.发明公开Method of manufacturing semiconductor device and method manufacturing optical wave guide 有权HerstellungsverfahrenfürHalbleitervorrichtungen und optischer Wellenleiter
公开(公告)号：EP1225620A2
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：EP01310826.1
申请日：2001-12-21
发明人： Watanabe, Takayuki, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd. , Ito, Hiroaki, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd. , Fuji, Takuya, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd.
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/2077 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S5/34373
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of (a) growing an InP layer (43A, 43B) on a surface (41) of starting growth, resulting in the InP layer (43A, 43B) having a convex structure, and (b) wet etching the InP layer (43A, 43B) by an etchant including hydrochloric acid and acetic acid, and thereby flattening a surface of the InP layer (43A, 43B).
摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：（a）在起始生长的表面（41）上生长InP层（43A，43B），得到具有凸起结构的InP层（43A，43B）和（ b）通过包括盐酸和乙酸在内的蚀刻剂湿法蚀刻InP层（43A，43B），从而使InP层（43A，43B）的表面变平。
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2.发明授权
公开(公告)号：EP1225620B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：EP01310826.1
申请日：2001-12-21
发明人： Watanabe, Takayuki, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd. , Ito, Hiroaki, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd. , Fujii, Takuya, c/o Fujitsu Quantum Dev. Ltd.
IPC分类号： H01L21/00 , H01L33/00 , H01S5/20 , H01S5/227 , H01L21/306
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/2077 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S5/34373
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