公开(公告)号：EP0320657A1

公开(公告)日：1989-06-21

申请号：EP88119329.6

申请日：1988-11-21

申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： Anthony, Thomas Richard ,  Fleischer, James Fulton ,  Devries, Robert Charles

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C30B29/04 ,  C30B25/00

CPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/0272 ,  C30B25/00 ,  C30B29/04

摘要： Boron is used as a diamond crystal nucleation and growth enhancer on a substrate in a CVD process of nucleat­ing and growing diamond crystals on a substrate exposed to an activated hydrogen-hydrocarbon gas mixture.

摘要翻译： 在用于在暴露于活性氢 - 烃气体混合物的基底上成核和生长金刚石晶体的CVD工艺中，硼用作基底上的金刚石晶体成核和生长增强剂。

公开(公告)号：EP0320657B1

公开(公告)日：1993-09-29

申请号：EP88119329.6

申请日：1988-11-21

申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： Anthony, Thomas Richard ,  Fleischer, James Fulton ,  Devries, Robert Charles

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C30B29/04 ,  C30B25/00

CPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/0272 ,  C30B25/00 ,  C30B29/04

摘要： Boron is used as a diamond crystal nucleation and growth enhancer on a substrate in a CVD process of nucleating and growing diamond crystals on a substrate exposed to an activated hydrogen-hydrocarbon gas mixture.