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    Bloch line memory device
    1.
    发明公开
    Bloch line memory device 失效
    布洛赫线存储设备

    公开(公告)号：EP0263530A3

    公开(公告)日：1989-11-02

    申请号：EP87114799.7

    申请日：1987-10-09

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Maruyama, Youzi Hitachi Koyasudai ,  Ikeda, Tadashi ,  Suzuki, Ryo

    IPC分类号： G11C19/08

    CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C19/08

    摘要： A Bloch line memory device comprises stripe magnetic domains (2) in a magnetic film (6) for holding magnetic bubble domains. A pair of Bloch lines is stored as an information carrier in a magnetic wall (1) constructing the stripe magnetic domain. A longitudinal direction (21) of the stripe magnetic domain is made parallel to either the crystalographic directions [11 2 ] and [ 11 2], [1 2 1 ] and [ 1 2 1 ], or [ 2 11] and [2 11 ] of the magnetic film so that the pair of Bloch lines can be smoothly moved in the magnetic wall of the stripe magnetic domain.

    摘要翻译： 布洛赫线存储器件包括用于保持磁泡区域的磁膜（6）中的条纹磁畴（2）。 一对布洛赫线作为信息载体存储在构成条纹磁畴的磁壁（1）中。 条纹磁畴的纵向方向（21）平行于晶体学方向[11 2]和[112]，[1 2 1]和[1 2 1]或[211]和[211] 使得该对布洛赫线可以平滑地在条形磁畴的磁壁中移动。

    Bloch line memory device
    2.
    发明公开
    Bloch line memory device 失效
    Blochzeilenspeicheranordnung。

    公开(公告)号：EP0263530A2

    公开(公告)日：1988-04-13

    申请号：EP87114799.7

    申请日：1987-10-09

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Maruyama, Youzi Hitachi Koyasudai ,  Ikeda, Tadashi ,  Suzuki, Ryo

    IPC分类号： G11C19/08

    CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C19/08

    摘要： A Bloch line memory device comprises stripe magnetic domains (2) in a magnetic film (6) for holding magnetic bubble domains. A pair of Bloch lines is stored as an information carrier in a magnetic wall (1) constructing the stripe magnetic domain. A longitudinal direction (21) of the stripe magnetic domain is made parallel to either the crystalographic directions [11 2 ] and [ 11 2], [1 2 1 ] and [ 1 2 1 ], or [ 2 11] and [2 11 ] of the magnetic film so that the pair of Bloch lines can be smoothly moved in the magnetic wall of the stripe magnetic domain.

    摘要翻译： 布洛赫线存储器件包括用于保持磁性气泡畴的磁性膜（6）中的条形磁畴（2）。 一对Bloch线作为信息载体存储在构成条磁畴的磁壁（1）中。 使条形磁畴的纵向方向（21）平行于晶体学方向[11 @]和[@@ 2]，[1]和[@ 2 @]或[@ 11]和[2 @@]，使得一对Bloch线可以平滑地移动到带状磁畴的磁壁中。