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    Ultra-high density data storage device
    2.
    发明公开
    Ultra-high density data storage device 有权
    Speechervorrichtung mit ultraherher Datendichte

    公开(公告)号：EP1517318A1

    公开(公告)日：2005-03-23

    申请号：EP04254527.7

    申请日：2004-07-28

    申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.

    发明人： Ashton, Gary R. ,  Gibson, Gary A. ,  Bicknell-Tassius, Robert N.

    IPC分类号： G11B9/10 ,  G11B11/08 ,  G11B9/00 ,  G11B11/00

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002 ,  G11B11/08

    摘要： An ultra-high density data storage device (200) uses phase-changing diode memory cells, and having a plurality of emitters (102, 104) for directing beams (105) of directed energy, a layer (202) for forming multiple data storage cells and a layered diode structure (202, 204) for detecting a memory or data state of the storage cells, wherein the device comprises a phase-change data storage layer (202) capable of changing states in response to the beams (105) from the emitters (102, 104) and a second layer (204) forming one layer in the layered diode structure, the second layer (204) comprising a material containing copper, indium and selenide. A method of forming a diode structure (200) for a phase-change data storage array, having multiple thin film layers (202, 204) adapted to form a plurality of data storage cell diodes, comprising depositing a first diode layer (204) of CuInSe material on a substrate (208, 210); and depositing a second diode layer (202) of phase-change material on the first diode layer (204).

    摘要翻译： 超高密度数据存储设备（200）使用相变二极管存储器单元，并且具有用于引导定向能量的光束（105）的多个发射器（102,104），用于形成多个数据存储器的层（202） 单元和用于检测存储单元的存储器或数据状态的分层二极管结构（202,204），其中所述器件包括能够响应于所述光束（105）的状态而改变状态的相变数据存储层（202） 所述发射器（102,104）和在所述分层二极管结构中形成一个层的第二层（204），所述第二层（204）包括含有铜，铟和硒化物的材料。 一种形成用于相变数据存储阵列的二极管结构（200）的方法，具有适于形成多个数据存储单元二极管的多个薄膜层（202,204），包括：沉积第 CuInSe材料在基底（208,210）上; 以及在所述第一二极管层（204）上沉积相变材料的第二二极管层（202）。