公开(公告)号：EP2487722A1

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：EP11151435.2

申请日：2011-01-19

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Andreev, Aleksey ,  Williams, David ,  Miyamoto, Makoto ,  Yoshimoto, Naoki

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0749

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： A method of fabricating a light absorption layer of a photovoltaic cell is disclosed. The method comprises depositing an alloy precursor on a base, the alloy precursor including a Group IB element, for example copper, a first Group IIIB element, for example indium, and a second Group IIIB element, for example gallium, annealing the alloy precursor so as to form an alloy and agitating the alloy precursor or alloy ultrasonically during and/or after annealing. The method may comprise zone annealing the alloy precursor.

摘要翻译： 公开了一种制造光伏电池的光吸收层的方法。 该方法包括在基底上沉积合金前体，合金前体包括IB族元素，例如铜，第一IIIB族元素，例如铟，和第二IIIB族元素，例如镓，使合金前体退火 以形成合金并在退火过程中和/或之后超声波搅拌合金前体或合金。 该方法可以包括对合金前体进行区域退火。