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公开(公告)号：EP0110916A1
公开(公告)日：1984-06-20
申请号：EP83901688.0
申请日：1983-05-03
IPC分类号： H03K19
CPC分类号： H03K19/09441 , H03K19/0952
摘要： Un circuit logique à transistors à effet de champ à enrichissement (ENFET) permet d'obtenir une plus grande capacité de sortance. Le circuit logique utilise une section d'inversion à source commune conventionnelle (19), mais comprend en outre une section à commande par courant (25) qui commande la section d'inversion à source commune. Un circuit logique inverseur commandé par courant est réalisé en utilisant un second transistor ENFET (23) pour commander la porte de la section d'inversion à source commune (19). Une porte NON-OU commandée par un courant électrique est réalisée en utilisant deux transistors ENFET en parallèle qui commandent la section inverseur à source commune. De même, une porte NON-ET commandée par un courant électrique est réalisée en utilisant un seul transistor ayant deux entrées de porte pour commander la section d'inversion à source commune. L'utilisation d'un circuit de balayage à dépassement permet de commander la vitesse de fonctionnement du dispositif. Le circuit logique est conçu pour offrir une grande capacité de sortance en comparaison au circuit inverseur à source commune, seul.
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公开(公告)号：EP0110916B1
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：EP83901688.8
申请日：1983-05-03
IPC分类号： H03K19/094
CPC分类号： H03K19/09441 , H03K19/0952
摘要： An enhancement-mode field effect transistor (ENFET) logic circuit providing greater fan-out capability. The logic circuit employs a conventional common-source inverter section (19), but additionally incorporates a current-driving section (25) which drives the common-source inverter section. A current-driven inverter logic circuit is realized by employing a second ENFET transistor (23) to drive the gate of the common-source inverter section (19). A current-driven (NOR) gate is realized by employing to ENFET transistors in parallel which drive the common-source inverter section. Also a current-driven NAND gate is realized by utilizing a single transistor having two gate inputs to drive the common-source inverter section. The use of sweep-out circuitry allows for control of the operational speed of the device. The logic circuit designes have high fanout capability compared to the common-source inverter circuit alone.
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