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1.
公开(公告)号:EP0353271A1
公开(公告)日:1990-02-07
申请号:EP89901438.0
申请日:1988-12-23
CPC分类号: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L29/0692 , H01L29/7838 , H01L29/78612 , H01L29/78657 , H03M1/361
摘要: Le convertisseur analogique/numérique décrit (10) utilise une série de comparateurs (12, 14, 16 et 18), dont chacun comporte au moins un onduleur composé d'une paire de transistors de type MOS complémentaire formée par un transistor à canal P (22) et par un transistor à canal N (24). Les niveaux seuil des transistors (22, 24) sont modifiés au moyen de techniques d'implantation par faisceau ionique focalisé, de façon à conférer aux comparateurs des niveaux de transition à accroissement monotonique.
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2.
公开(公告)号:EP0353271B1
公开(公告)日:1993-02-17
申请号:EP89901438.5
申请日:1988-12-23
CPC分类号: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L29/0692 , H01L29/7838 , H01L29/78612 , H01L29/78657 , H03M1/361
摘要: An analog-to-digital converter (10) employs a series of comparators (12, 14, 16 and 18). Each comparator includes at least one inverter consisting of a CMOS transistor pair including a P-channel transistor (22) and N-channel transistor (24). The threshold levels of the transistors (22, 24) are modified using focused ion beam implantation techniques to provide the comparators with monotonically increasing transition levels.
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