公开(公告)号：EP1908111A4

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：EP06788064

申请日：2006-07-21

Applicant: IBM

Inventor： ANDERSON BRENT A ,  BREITWISCH MATTHEW J ,  NOWAK EDWARD J ,  RAINEY BETHANN

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78687

Abstract: A field effect transistor (FET) and method of forming the FET comprises a substrate (101 ); a silicon germanium (SiGe) layer (103) over the substrate (103); a semiconductor layer (105) over and adjacent to the SiGe layer (103); an insulating layer (109a) adjacent to the substrate (101), the SiGe layer (103), and the semiconductor layer (105); a pair of first gate structures (111) adjacent to the insulating layer (1 09a); and a second gate structure (113) over the insulating layer (109a). Preferably, the insulating layer (109a) is adjacent to a side surface of the SiGe layer (103) and an upper surface of the semiconductor layer (105), a lower surface of the semiconductor layer (105), and a side surface of the semiconductor layer (105). Preferably, the SiGe layer (103) comprises carbon. Preferably, the pair of first gate structures (111) are substantially transverse to the second gate structure (113). Additionally, the pair of first gate structures (111) are preferably encapsulated by the insulating layer (109a).

Abstract translation: 一种场效应晶体管（FET）及其形成方法，包括衬底（101）; 在衬底（103）上的硅锗（SiGe）层（103）; 在所述SiGe层（103）上方并且与所述SiGe层（103）相邻的半导体层（105）; 与衬底（101），SiGe层（103）和半导体层（105）相邻的绝缘层（109a）; 一对第一栅极结构（111），与绝缘层（109a）相邻; 和在绝缘层（109a）上的第二栅极结构（113）。 优选地，绝缘层（109a）与SiGe层（103）的侧表面和半导体层（105）的上表面，半导体层（105）的下表面以及半导体层 半导体层（105）。 优选地，SiGe层（103）包含碳。 优选地，该对第一栅极结构（111）基本上横向于第二栅极结构（113）。 此外，一对第一栅极结构（111）优选由绝缘层（109a）封装。