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    Verfahren zum Übertragen eines Musters in eine strahlungsempfindliche Schicht
    2.
    发明公开
    Verfahren zum Übertragen eines Musters in eine strahlungsempfindliche Schicht 失效
    一种用于在辐射敏感层的图案转移方法。

    公开(公告)号：EP0126786A1

    公开(公告)日：1984-12-05

    申请号：EP83105177.6

    申请日：1983-05-25

    申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH ,  International Business Machines Corporation

    发明人： Bohlen, Harald, Dipl.-Phys. ,  Bretscher, Erwin, Dipl.-Ing. ,  Engelke, Helmut, Dr., Dipl.-Phys. ,  Greschner, Johann, Dr., Dipl.-Phys. ,  Nehmiz, Peter, Dr., Dipl.-Phys. ,  Vettiger, Peter, Dipl.-Ing.

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70475

    摘要： Bei dem Verfahren werden zwei Teilmuster, welche, wenn sie in festgelegter Weise zueinander ausgerichtet aufeinander gelegt werden, das gewünschte Muster ergeben, wobei Elemente der beiden Teilmuster sich zu Elementen des Musters ergänzen und wobei diese Teilmusterelemente bereichsweise überlappen, mit einer geeigneten Strahlung auf die strahlungsempfindlichen Schichten projiziert. Die Überlappung wird erreicht, indem beim Entwurf der beiden Teilmuster von einem dem gewünschten Muster entsprechenden Muster ausgegangen wird, indem die Elemente (2) dieses Musters dann geschrumpft, anschließend das geschrumpfte Muster in zwei den Teilmustern entsprechende geschrumpfte Muster zerlegt und schließlich die geschrumpften Teilmusterelemente (14, 15) auf die gewünschte Größe der Teilmusterelemente (4, 6) aufgeweitet werden.
    Das Verfahren wird insbesondere eingesetzt, wenn ein Muster mittels Lochmasken übertragen werden soll, und es notwendig ist, z.B. weil das Muster ringförmige Musterelemente aufweist, statt nur einer Maske zwei komplementäre Masken, welche je nur einen Teil des Musters beinhalten, zu verwenden.

    摘要翻译： 在该方法中，两个部分图案，如果它们被以固定的方式放置对齐彼此相互产率得到所需的图案，与两个部分图案的元素是与图案和在区域重叠这些部分图案元素的元素互补，与合适的辐射至辐射敏感 预计层。 重叠由对应图案被假定在由元件设计所期望的图案的两个部分图案来实现（2）然后缩水这个图案，则分解在两个部分图案对应的缩小试样和终于（收缩部分图案元素的收缩的图案 14，15）到子图案元件（4的所需尺寸，6）被扩展。 该方法特别用于当一个图案是由荫罩的手段被传递，并且它是必要的，例如 因为该图案具有圆环状的图案元素，而不是仅使用一个掩模，两个互补掩模的每个仅包括图案的一部分。

    Elektronenstrahl-Projektionslithographie
    4.
    发明公开
    Elektronenstrahl-Projektionslithographie 失效
    电子束投影光刻。

    公开(公告)号：EP0134269A1

    公开(公告)日：1985-03-20

    申请号：EP83107926.4

    申请日：1983-08-11

    申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH ,  International Business Machines Corporation

    发明人： Behringer, Uwe, Dr., Dipl.-Phys. ,  Bohlen, Harald, Dipl.-Phys. ,  Kulcke, Werner, Dr., Dipl.-Phys. ,  Nehmiz, Peter, Dr., Dipl.-Phys.

    IPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/317

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/151 ,  H01J2237/31788

    摘要： Die Photolackschicht (12) auf der Oberfläche eines Wafers (11) wird durch das Schattenmuster belichtet, das eine in geringem Abstand davor angebrachte Transmissionsmaske (13) erzeugt, wenn diese einem großflächigen Elektronenstrahl ausgesetzt wird. Die Quelle des Elektronenstrahls ist eine unstrukturierte Photokathode (16) auf einem ultraviolett-durchlässigen Träger (Quarzglas 17), der von hinten UV-Strahlung ausgesetzt wird. Die aus der Schicht (16) austretenden Elektronen werden durch ein homogenes elektrisches Feld (14) auf die Maske (13) hin beschleunigt und zu einem homogenen kollimierten Elektronenstrahl geformt. Mit seitlich angebrachten elektrostatischen Ablenkelektroden (19a, 19b) kann der gesamte Elektronenstrahl zur Justierung des Maskenmusters relativ zum Wafer gekippt werden.

    摘要翻译： 晶片（11）的表面上的光致抗蚀剂层（12）通过的阴影图案，其产生露出的前端安装在短距离传输掩模（13）时，这是进行大面积的电子束。 电子束源是从后方UV辐射暴露utraviolett透过的载体（石英玻璃17）上未图案化的光电阴极（16）。 由所述层（16）出现的电子被均匀电场（14）上加速并形成为均匀的准直的电子束在掩模（13）加速。 与侧面安装的静电偏转电极（19A，19B），用于将掩模图案的调整的整个电子束被相对于晶片倾斜。