公开(公告)号：EP1905864B1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：EP06767071.1

申请日：2006-06-21

申请人： IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED

发明人： INOUE, Kazuyoshi ,  TANAKA, Nobuo ,  TOMAI, Shigekazu ,  MATSUBARA, Masato ,  KAIJO, Akira ,  YANO, Koki

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/50 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08

公开(公告)号：EP1905864A1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：EP06767071.1

申请日：2006-06-21

申请人： IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED

发明人： INOUE, Kazuyoshi ,  TANAKA, Nobuo ,  TOMAI, Shigekazu ,  MATSUBARA, Masato ,  KAIJO, Akira ,  YANO, Koki

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/50 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08

摘要： A sputtering target which is formed of a sintered body including an oxide main components of which are In and Sm. A sputtering target in which a sintered body of an oxide including In and Sm as main components is doped with at least one element with an atomic valency of positive tetravalency or higher in an amount of 20 at.% or less relative to the total sum of all cation elements.

摘要翻译： 溅射靶，其由包含氧化物主要成分为In和Sm的烧结体形成。 一种溅射靶，其中包含In和Sm作为主要成分的氧化物的烧结体掺杂有至少一种元素，其中原子价为正四价或更高，相对于总和为20原子％ 所有阳离子元素。