摘要:
Le procédé de dépôt selon l'invention, de type PVD, utilise un four de traitement thermique sous vide à l'intérieur duquel on évapore la substance d'une cible (12) qui constitue une première électrode et on dépose les particules gazeuses ainsi produites sur un substrat porté à un potentiel d'une deuxième électrode, qui est différent de celui de la première électrode. Au cours de ce dépôt, le substrat est porté à une température de traitement comprise entre 800°C et 1200°C, et la cible (12) ainsi que ses organes annexes sont constamment refroidis par un courant de fluide de refroidissement de manière à ce que la matière de la cible (12) demeure solide et que l'évaporation produite à la surface de la cible (12) s'effectue par sublimation. L'invention permet d'améliorer la régularité du dépôt, son ancrage dans le substrat ainsi que le temps de traitement.