公开(公告)号：EP1094607A1

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：EP99120073.4

申请日：1999-10-20

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Ludwig, Christoph, Dr. ,  Kutter, Christoph, Dr. ,  Wolf, Konrad, Dr. ,  Heitzsch, Olaf ,  Huckels, Kai ,  Rennekamp, Reinhold

IPC分类号： H03K19/173 ,  G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7883 ,  G11C16/0441 ,  H01L29/0692

摘要： Die Erfindung betrifft eine FPGA-Zelle (Z) mit einem Schalt-Transistor (S-T) und einem Schreib/Lese-Transistor (S/L-T). Durch Verkürzung einer Kanalbreite (K B ) des Kanalgebiets (K1) des Schalt-Transistors (S-T) erhält man eine Verringerung des Platzbedarfs sowie der Schreib/Lese-Spannungen für das Programmieren der FPGA-Zelle (Z).

摘要翻译： 现场可编程门阵列单元具有共同的半导体衬底（1），具有形成开关晶体管（ST）的沟道区（K1，K2）和读/写晶体管（2）的2个漏极/源极区（D1，S1; D2，S2） （S / LT），其具有公共控制层结构（2）。 开关晶体管的沟道区域（K1）的沟道宽度（KB）小于开关晶体管漏极源区域的总宽度（GB）。

公开(公告)号：EP1182779A3

公开(公告)日：2003-01-02

申请号：EP01117136.0

申请日：2001-07-13

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Bradl, Stephan ,  Gehring, Oliver ,  Heitzsch, Olaf

IPC分类号： H03K19/173 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C27/005

摘要： Die Erfindung betrifft das Einstellen der elektrischen Eigenschaften einer mikroelektronischen Schaltungsanordnung (5) mit zumindest einer analogen elektronischen Einheit (11, 12, 13). In einem Konfigurationsschritt wird die analoge Einheit (11, 12, 13) durch Zuführen und/oder Abführen elektrischer Ladung in einen Zustand versetzt, der analoge elektrische Eigenschaften der Einheit dauerhaft bestimmt. Insbesondere wird dabei das Floating Gate einer EEPROM-Zelle auf einen frei wählbaren innerhalb eines kontinuierlichen Bereichs liegenden Ladungswert aufgeladen.

摘要翻译： 微电子电路构造的电特性具有至少做了一个模拟电子单元被设置。 在配置步骤中，通过进料和/或提取的电荷，模拟电子单元被放入的状态下永久地确定性地雷单元的类似的电特性。 特别地，一个EEPROM单元的浮置栅极被充电到位于一个连续的范围内可自由选择的电荷值。

公开(公告)号：EP1094607B1

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：EP99120073.4

申请日：1999-10-20

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Ludwig, Christoph, Dr. ,  Kutter, Christoph, Dr. ,  Wolf, Konrad, Dr. ,  Heitzsch, Olaf ,  Huckels, Kai ,  Rennekamp, Reinhold ,  Röhrich, Mayk ,  Stein von Kamienski, Elard, Dr. ,  Wawer, Peter, Dr. ,  Springmann, Oliver

IPC分类号： H03K19/173 ,  G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7883 ,  G11C16/0441 ,  H01L29/0692

公开(公告)号：EP1182779A2

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：EP01117136.0

申请日：2001-07-13

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Bradl, Stephan ,  Gehring, Oliver ,  Heitzsch, Olaf

IPC分类号： H03K19/173

CPC分类号： G11C27/005

摘要： Die Erfindung betrifft das Einstellen der elektrischen Eigenschaften einer mikroelektronischen Schaltungsanordnung (5) mit zumindest einer analogen elektronischen Einheit (11, 12, 13). In einem Konfigurationsschritt wird die analoge Einheit (11, 12, 13) durch Zuführen und/oder Abführen elektrischer Ladung in einen Zustand versetzt, der analoge elektrische Eigenschaften der Einheit dauerhaft bestimmt. Insbesondere wird dabei das Floating Gate einer EEPROM-Zelle auf einen frei wählbaren innerhalb eines kontinuierlichen Bereichs liegenden Ladungswert aufgeladen.

摘要翻译： 本发明涉及的微电子电路装置（5）与至少一个模拟电子单元（11，12，13）的电特性的调整。 在配置步骤中，类似的单元（11，12，13）通过供给和/或永久地确定的单元的模拟电特性的状态下排出电荷位移。 特别地，一个EEPROM单元的浮置栅极被充电到一个可自由选择的连续范围卧电荷值之内。