公开(公告)号：EP1375563B1

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：EP03014160.0

申请日：2003-06-24

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Sezi, Recai ,  Walter, Andreas ,  Maltenberger, Anna ,  Lowack, Klaus ,  Halik, Marcus

IPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/26

CPC分类号： C08G69/265 ,  C08G69/26 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31721

公开(公告)号：EP1375563A1

公开(公告)日：2004-01-02

申请号：EP03014160.0

申请日：2003-06-24

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Sezi, Recai ,  Walter, Andreas ,  Maltenberger, Anna ,  Lowack, Klaus ,  Halik, Marcus

IPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/26

CPC分类号： C08G69/265 ,  C08G69/26 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31721

摘要： Die Erfindung betrifft ein hochtemperaturstabiles Dielektrikum für Aluminium- und Kupfermetallisierungen. Die polymeren Dielektrika eignen sich überraschenderweise - trotz der Abspaltung von Wasser während der Zyklisierung - sehr gut zum Füllen von engen Gräben. Die gefüllten Gräben zeigen keinerlei Defektstellen sowie Blasen oder Risse. Die Polybenzoxazole haben Dielektrizitätskonstanten von k ≦ 2,7 und eignen sich gut als elektrischer Isolator. Weiterhin haften diese Materialien sehr gut auf allen für die Mikroelektronik relevanten Oberflächen.

摘要翻译： 在聚合物链中具有二价多核（杂）芳族残基的聚邻羟基酰胺。 式（I）的聚邻羟基酰胺，其中M1 = -CO-Y3-CO-; M2 = -NHZ2（OR1）2NH-COY3CO-; M3-M5 = -NHZ1（OR1）2NH-COY2CO-，-X1COY4CO-或-X2COY5CO-; M6 = -NHZ3（OR1）2 NH-; Z1-Z3 =各种四价（杂）芳族基团。 在-PheC（Ph）2）-Phe-，-Phe-O-Ada-O-Phe-（对于Z2;所列的8个组）或苯（1,2,4,5），萘（2， 3,6,7或1,2,5,6），呋喃四酮等（对于Z1和Z3;列出11个组）; Y1-Y5 =各种二价（杂）芳基或其它基团。 苯，萘，吡嗪，呋喃，吡啶，双喹啉基，降冰片烯等。 X1，X2 =各种酯，碳酸酯，醚，酮或酰胺基; A =（a）H，-CO（CH 2）kCH 3，-COCH = CH 2，-CO-芳基等（如果a = 0和/或f = 1;列出的14个基团）或（b）OH， OCH 2 CH = CH 2，芳氧基等（如果a = 1和/或f = 0;列出的9个基团）; R1 = H， - （CH2）iCH3， - （CH2）iPh，-COO（CH2）iCH3或-COO（CH2）iPh; Ph =苯基; Phe =亚苯基; Ada =金刚烷; a，f = 0或1; b = 1-200; c = 0-200; d，e = 0-50; i = 0-10。 “定义（完全定义）”字段中给出了完整的定义。 （I）（2）（2）中得到的（1）（1）聚苯并恶唑（PBO）的独立权利要求还包括通过使式H2N-Z（OR1）单体反应制备（I）的方法（M1） 2-NH 2（II）与式L-CO-Y-CO-L（III）（3）的二羧酸或其活化衍生物（3）（3）通过加热制备PBO的方法（M2）（I） ）（4）具有上述PBO的电介质（5）的电子部件（EC）（5）（5）通过用（I）的溶液涂布基板，蒸发溶剂，加热 形成PBO，构建PBO膜以形成具有沟槽的抗蚀剂，在浮雕上沉积导电材料，以便填充沟槽，然后除去过量的导电材料（6）（6）用于生产的方法（M4） 通过将（I）的溶液涂覆在具有金属表面结构之间的沟槽的衬底上，蒸发溶剂使得沟槽被填充（I），然后加热形成PBO。 Z = Z1，Z2或Z3; Y = Y1-Y5; L = OH或活化基团。

公开(公告)号：EP1375559A1

公开(公告)日：2004-01-02

申请号：EP03013753.3

申请日：2003-06-17

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Sezi, Recai ,  Walter, Andreas ,  Maltenberger, Anna ,  Lowack, Klaus

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G73/22 ,  C08G69/32 ,  H01B3/30

CPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/26 ,  C08G69/265 ,  C08G69/32 ,  H01B3/441 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801

摘要： Die Erfindung betrifft neue Poly-o-hydroxyamide, die sich zu Polybenzoxazole zyklisieren lassen, welche eine hohe Diffusionssperrwirkung gegenüber Metallen zeigen. Die Poly-o-hydroxyamide lassen sich durch übliche Techniken auf ein Halbleitersubstrat auftragen und durch Erwärmen einfach zum Polybenzoxazol umsetzen. Durch die hohe Sperrwirkung gegenüber einer Diffusion von Metallen kann auf eine Diffusionsbarriere zwischen Leiterbahn und Dielektrikum weitgehend verzichtet werden.

摘要翻译： 在聚合物链中含有二价多核（杂）芳族残基的新的聚邻羟基酰胺。 式（I）的聚-O-羟基酰胺。 Y2 = - （Phe-O）n-E-（O-Phe）n-; Phe =亚苯基; Y1，Y3 =对于Y2，或各种任选取代的（杂）亚芳基，例如 亚苯基，亚萘基，吡嗪二基，呋喃二基（列出21个）; Z1-Z3 =各种四价（杂）芳族基团，例如 苯-1,2,5,5-四甲基呋喃-2,3,4,5-四芴，芴-2,3,6,7-四环（列出10个）; A =（a）H，-CO（CH 2）g CH 3，-COCH = CH 2，-CO-芳基等（列出的14个基团）（如果a = 0和/或d = 1），或（b） ，-OCH 2 CH = CH 2，芳氧基等（列出的9个基团（如果a = 1和/或d = 0）; E =各种二价多核（杂）芳族基团，例如1,1'-联萘，芘二基 - Phe-CPh2-Phe-（列出10个基团）; Ph =苯基; R1 = H， - （CH2）fCH3， - （CH2）f-Ph，-COO（CH2）fCH3或-COO（CH2）fPh; d，n = 0或1; b = 1-200; c = 0-200。定义见全面定义（Full Definitions），独立权利要求包括以下内容：（1）获得的聚苯并恶唑（PBO） （I）的方法（M1）;（2）通过使式H2N-Z（OR1）2-NH2（II）的单体与式L-CO-Y的二羧酸或其活化衍生物反应制备（I）的方法（M1） -CO-L（III）;（3）通过加热（I）生产PBO的方法（M2）;（4）具有如上所述的含PBO的电介质的电子部件（EC）;（5） 通过用（I。）溶液涂布基材来生产EC ），蒸发溶剂，加热所得膜形成PBO，构成PBO膜以形成具有沟槽和接触孔的抗蚀剂，在浮雕上沉积导电材料以填充孔等，然后除去过量的导电材料; 和（6）通过将（I）的溶液涂覆到具有金属表面结构之间的沟槽和接触孔的基底上的方法（M4），蒸发溶剂使得沟槽和孔填充有（I）和 然后加热形成PBO。 Z = Z1，Z2或Z3; Y = Y1，Y2或Y3; 和L = OH或活化基团。