公开(公告)号：EP1742227A1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：EP06011016.0

申请日：2006-05-29

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Schoenauer, Tim ,  Niedermeier, Thomas ,  Kund, Michael ,  Berthold, Joerg

IPC分类号： G11C14/00

CPC分类号： G11C14/009 ,  G11C13/0004

摘要： Die nichtflüchtige Speicherzelle weist ein flüchtiges Speichermittel (INV1, INV2) zur Speicherung einer binären Information auf. Ferner umfasst die Speicherzelle lediglich ein einziges programmierbares Widerstandselement (R1) zum nichtflüchtigen Sichern der gespeicherten Information sowie ein Mittel (SW3, SW4) zum Sichern der Information in dem Widerstandselement. Außerdem ist ein Mittel (SW1, SW2) zum Wiederabrufen der gesicherten Information vorhanden.

摘要翻译： 该单元包括由用于二进制信息的易失性存储的两个交叉耦合的反相器（INV1，INV2）实现的双稳态触发器。 二进制信息以存储节点（K1，K2）的电位的形式存储。 单个二进制可编程电阻（R1）在转换到掉电模式期间保护存储在触发器中的信息。 提供两个开关（Sw3，Sw4）用于固定二进制信息，其中开关分别用于PC复位操作和保存操作。 开关（Sw1，Sw2）用于从电阻中检索二进制信息。 还包括用于包括非易失性存储单元的移位寄存器的独立权利要求。